薄膜沉積系統是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2009年11月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:薄膜沉積系統
- 產地:美國
- 學科領域:機械工程
- 啟用日期:2009年11月13日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 機加工工藝實驗設備
薄膜沉積系統是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2009年11月13日啟用。
薄膜沉積系統是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2009年11月13日啟用。技術指標一次最大可以濺射1片6英寸樣品,樣品台可以旋轉和加熱,最高加熱溫度為800℃。濺射薄膜厚度均勻性優於±5%。1主要功能能夠濺射各種金...
高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年10月21日啟用。技術指標 極限真空度: 外延室經烘烤 ≤5*10-8Pa 進樣室經烘烤 ≤1*10-5Pa 系統漏率: 外延式漏率 2.0*10-8Pa.1...
脈衝雷射沉積薄膜系統是一種用於物理學、化學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月10日啟用。技術指標 真空室直徑Ф 500mm。主腔室(PLD chamber):本底極限真空度 主要功能 製備半導體材料、沉積複雜...
金屬與有機材料薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2017年3月8日啟用。技術指標 (1) 抽氣效率:40分鐘後可達≤5.0*10-6 Torr(粗抽管路至腔體在2m內);終極壓力:12小時後可達≤ 8*10-7 Torr; (2) 基載:...
全自動雙離子束濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2018年10月20日啟用。技術指標 真空室極限真空≤6.6×10-6Pa; 濺射沉積薄膜前本底壓強≤5×10-4Pa; 薄膜厚度均勻度:Ф200mm; 直徑範圍RSM值≤±5%、Ф150mm直徑...
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
太陽能薄膜沉積系統 太陽能薄膜沉積系統是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2009年09月28日啟用。技術指標 真空系統配置,極限壓力,恢復真空時間等指標。主要功能 製備非晶矽和微晶矽薄膜等太陽電池器件。
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室,行星夾具,分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置,既能獨立實現濺射鍍膜,...
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度:1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
三室複合薄膜沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年08月01日啟用。技術指標 1、真空室極限真空1X10-5Pa; 2蒸發室極限真空1X10-5Pa; 3靶材尺寸直徑60mm。主要功能 使用磁控濺射法製備各種薄膜。
離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年9月26日啟用。技術指標 1.主離子源離子源發射束徑:≥Φ120mm;離子能量可調範圍:0-1000eV;2.輔助離子源離子束轟擊範圍直徑:>Φ100mm;離子能量可調範圍:...
多腔體高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年10月15日啟用。技術指標 有機真空室極限真空度:1.5×10-7Pa;電子槍真空室極限真空度:1.1×10-5Pa;進樣真空室極限真空度:2.5×10-5Pa;樣品架可升降...
半導體複合薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2017年1月1日啟用。技術指標 生長室尺寸600*450mm筒形結構預處理室尺寸300*900mm,極限真空8*10-8Pa,系統漏率小於10-8Pa.L/s。主要功能 無機功能薄膜沉積。
分子束外延薄膜沉積系統 分子束外延薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2014年6月5日啟用。技術指標 基礎真空:1.0*10^(-10)Torr。主要功能 薄膜材料樣品製備。
電子束蒸發真空薄膜沉積系統 電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。技術指標 380v,立式。主要功能 測量用。
電漿輔助類金剛石薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年11月19日啟用。技術指標 上電極為鋁製電極由13.56MHz射頻源驅動,噴淋頭直徑218mm,溫度控制在200°C到400°C。主要功能 用於在直徑2吋到8吋的單個晶圓上...
柔性太陽能薄膜電池沉積系統 柔性太陽能薄膜電池沉積系統是一種用於材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2017年9月7日啟用。技術指標 本底真空1E-8Torr, 鍍膜不均勻性小於5%。主要功能 在柔性襯底上製備ITO、Au、NiO、TiO2等材料。
高效空間隔離原子層沉積薄膜製備系統是一種用於材料科學、機械工程、能源科學技術領域的計量儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 前驅體之間隔離氣密性:2ppm;沉積速率:5s/循環;實現交替生長;以氧化鋁和氧化鋅為檢測標準,實現線性生長...
薄膜鋰離子電池氣相沉積系統 薄膜鋰離子電池氣相沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月29日啟用。技術指標 磁控濺射、蒸發、真空度5x10-7toor。主要功能 薄膜鋰離子電池氣相沉積系統。
雙室磁性薄膜和超薄膜沉積系統 雙室磁性薄膜和超薄膜沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的計量儀器,於2014年12月20日啟用。技術指標 多靶高真空度(10-6Pa)DC和RF磁控濺射。主要功能 設備可用於鐵磁薄膜生長製備。
雙室多功能薄膜沉積與實時監控PECVD系統 雙室多功能薄膜沉積與實時監控PECVD系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2015年11月11日啟用。技術指標 基底真空度=5*10(-5)Pa。主要功能 雙室多功和質譜聯用測試。
PECVD沉積系統是一種用於動力與電氣工程、能源科學技術、計算機科學技術、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2008年5月1日啟用。技術指標 矽薄膜沉積設備,極限真空10-6,溫度可達250 ℃。主要功能 PECVD主要是對半導體材料矽的濺射。
薄膜氣相沉積設備是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2018年8月29日啟用。技術指標 供水:小型供水機,冷卻水溫度在5℃-10℃之間,供氣:小型無油靜音氣泵,提供0.2-0.3Mpa氣壓極限真空:優於6*10-5pa。...
一種斜角入射微納米薄膜沉積系統.年 顧迅,馬建旭,蔣玉蘭. 用離子束輔助沉積和計算機控制系統製備納米薄膜複合材料.《CNKI》,2000 基於電壓反饋的單根納米材料沉積微操控系統研究.《VIP》,2015 J·A·懷特佛德等. 納米結構的後沉積包封:...
高真空薄膜沉積儀是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月01日啟用。技術指標 1、真空抽氣系統:主沉積室:選用渦輪分子泵FB1200+機械泵2XZ-15機組抽氣,並設定旁路抽氣。(1)極限真空:系統經24小時烘烤,連續抽氣P≤6.6...