磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標(1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4...
磁控濺射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器，於2016年1月11日啟用。技術指標 （1） 真空性能：極限真空（Ultimate Pressure）:9E-8Torr；真空抽速：30分鐘從大氣壓抽到4E-6Torr；真空室漏率：5 E-5Torr.L/s（2）樣品台加熱溫度800℃，能夠在O2氣氛下長時間工作，溫度控制精度優於#177;...
磁控濺射覆膜系統 磁控濺射覆膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的分析儀器，於2015年12月24日啟用。技術指標 可以沉積金屬、金屬氧化物，理論最小厚度為單原子層，只能進行薄膜沉積，真空度8*10^-5，加熱溫度500度。主要功能 主要功能是進行薄膜的沉積以及金屬材料、非金屬材料的表面改性。
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下，採用 微機控制樣品轉盤和靶擋板，既可以製備單層膜，又可以製備各種...
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560，真空室尺寸：梨型真空室，真空系統配置：分子泵、機械泵、閘板閥，極限壓力：≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ，恢復真空時間：40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣)，樣品尺寸：Ф...
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月26日啟用。技術指標 1．真空腔室：雙室立式方形結構，濺射室內腔體積大致為，進出樣室：500�260�700mm。 2．真空系統：使用3套1200升分子泵系統，美國MKS自動恆壓系統； 3．真空極限：優於8.0�10-5Pa； 抽速：濺射室在工作...
由於反應氣體量的增加，靶面上會形成一層化合物，薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時，放電曲線及沉積速率都出現滯後現象。方法 平衡磁控濺射 平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背後放置芯部與外環磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。沉積室充入...
基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：1200W，2個RF電源：600W，3路氣體。可PC控制。主要功能 該設備具有三個電源三個濺射靶，可共濺射，具有制膜種類廣泛，組分容易控制，沉積速率高，可製備多組分薄膜等優勢。利用該系統可在各種襯底上製備金屬薄膜Ti，Al等，氮化物薄膜TiN等，以及多元氧化物材料如ALTiO2等。
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室，行星夾具，分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置，既能獨立實現濺射鍍膜，還能實現多靶共濺射，基本上滿足不同類別材料薄膜和化合物薄膜的鍍制。
碲化鋅磁控濺射聯續鍍膜系統 碲化鋅磁控濺射聯續鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2017年1月1日啟用。技術指標 極限真空：2E-4Pa；大氣抽到6E-3Pa, 小於35分鐘。主要功能 在30cm*40cm*4mm的基板上濺射沉積兩種類型的薄膜。
濺射鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器，於2014年12月22日啟用。技術指標 直流功率：2kW 射頻功率：600W 晶片尺寸：最大 6 英寸 真空度：10-7 Torr 靶材： Ti、Au、Pt、Al、Ag、Nb、Al2O3、SiO2等 典型沉積速率：0.1A~3A/s； 均勻性：±5%。主要功能 磁控濺射是物理氣相沉積的一種...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
磁控濺射子系統 磁控濺射子系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2001年11月30日啟用。技術指標 直流，磁控濺射，4英寸，高真空。主要功能 鍍制納米薄膜。
本項目採用高功率脈衝磁控濺射（HPPMS）技術，提高鈦、鉻濺射原子的離化率，控制薄膜沉積時離子的通量、入射方向及能量，消除“陰影”效應，在複雜工件的各個平面得到緻密度高、厚度、結構、性能相同的均質氮化鈦、氮化鉻薄膜。本項目首先系統研究了電源屬性(限流電阻、頻率、脈寬、電流、電壓、峰值功率、平均功率等)、...
太陽能薄膜電池沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年1月3日啟用。技術指標 1、腔室配置及真空系統1個預抽室，1個樣品傳遞室（配裝高真空機械手），3～6個樣品製備室；樣品製備室包括：PECVD室和PVD（磁控濺射）室，數量由用戶選定；所有腔室有獨立的分子泵真空機組；腔體帶烘烤系統。2、系統...
高真空磁控濺射鍍膜機 高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和射頻濺射對不同的靶材進行濺射沉積鍍膜。
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃，控制精度不大於±1℃；射頻電源頻率13.56MHZ，功率0-600W可調，功率不穩定度≤2W，自動匹配調節，配備自動匹配器，匹配時間精度不大於5秒。高性能真空系統，極限真空6×10-5Pa；沉積200nm的薄膜...
濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結構缺陷的幾率就越大，產生晶體結構缺陷也越嚴重，從而導致了ITO薄膜的電阻率上升，一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上，這樣不僅提高...
