高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空磁控濺射鍍膜機
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2013年3月25日
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。1主要功能可通...
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa? 濺射室:≤8.0×10-7Pa3.真空室漏氣率:≤5.0×10-8Pa·L/s4.抽氣速率:...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G的測量以及等效原理的實驗檢驗等課題中所需的高Q值石英絲鍍鍺和鉍膜。
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面...
磁控濺射鍍膜儀是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2006年12月30日啟用。技術指標 1、主真空室的本底真空優於2×10-8Torr;2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2%;3、可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門:CCQ-200型電磁氣動插板閥一個,高真空電磁氣動隔斷閥3個,壓差閥2個,其他...
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃,控制精度不大於±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配時間精度不大於5秒。高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; 系統抽速:通過進樣室送樣後抽至8×10-4Pa≤10分鐘,可局部加溫,工件盤可旋轉...
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor); 進樣室:經烘烤可達7×10-4Pa(5.2×10-6Toor)。主要功能 濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor)。
濺射鍍膜機 濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月4日啟用。技術指標 多種物理方法製備薄膜,重複性好。主要功能 薄膜製備、刻蝕。
JTR-700集熱管磁控濺射鍍膜機 JTR-700集熱管磁控濺射鍍膜機是由北京北儀創新真空技術有限責任公司完成的科技成果,登記於1996年10月31日。成果信息
熱蒸發磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2004年01月01日啟用。技術指標 兩腔(φ500mmX480mm,φ500mmX500mm)。工作真空7x10^(-4)Pa,整機阻抗1MΩ/500V.P.C. 用於有機/無機薄膜製備,膜厚可以控制在nm量機上。極限真空可達10-5 Pa,工作真空度為3-5 10-4 Pa,六對熱蒸鍍電極,...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,採用 微機控制樣品轉盤和靶擋板,既可以製備單層膜,又可以製備各種...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充工作氣體,每路氣體單獨控制。MFC流量範圍:一路200SCCM(V2氬氣)、一路100SCCM...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個(也可改3英寸磁控靶)、直流電源、射頻電源、離子束室、Kaufman離子槍及電源、樣品處理室、樣品台、離子槍轉靶、磁力送樣機構、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統和微機控制系統等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能,每種沉積...
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。