磁控離子束複合鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2009年10月9日啟用。
基本介紹
- 中文名：磁控離子束複合鍍膜設備
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2009年10月9日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在≤30分鐘內,離子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控濺射室: 採用四靶豎直向上濺射成膜或三靶斜交於一點濺射成膜方式。磁控靶極安裝在真空室下底盤上，靶極設有擋板，在計算機控制下，打開或遮擋靶位。豎直靶相對於基片距離50~75mm可調。斜交靶相對於基片距離80~140mm。四靶均為Φ2英寸,其中三支為國產永磁靶，一支為美國微磁公司進口的永磁靶；樣品加熱溫度800℃±1℃。轉盤上單獨一工位樣品可以放置在液氮冷阱上進行鍍膜。有3個工位做水冷卻樣品下的鍍膜。 離子束濺射室:： 濺射離子槍引出柵直徑Φ80mm，束流控制範圍0~150mA；輔助沉積離子槍引出柵直徑Φ60mm，束流控制範圍0~120mA；樣品最大尺寸Φ40mm接收濺射粒子沉積成膜。樣品可連續迴轉；樣品加熱最高加熱溫度800℃±1℃。
主要功能
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備，可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個（也可改3英寸磁控靶）、直流電源、射頻電源、離子束室、Kaufman離子槍及電源、樣品處理室、樣品台、離子槍轉靶、磁力送樣機構、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統和微機控制系統等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能，每種沉積方式都有可以間替地對多種材料進行沉積。
