高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2007年5月9日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。技術指標系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor); 進樣室:經烘烤可達7×10-4Pa...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
磁控濺射離子鍍裝置是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 (1)真空腔室極限真空度:8.5×10-6Torr;(2)真空系統允許最大外漏率:≤2.0×10-1Torr(在真空腔室壓強4.0×10-5Torr時關閉高真空閥...
高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統 高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月23日啟用。技術指標 真空度:6.7×10-5Pa 加熱溫度:室溫~800oC 濺射功率:500W×3。主要功能 真空鍍膜。
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
濺射鍍膜最初出現的是簡單的直流二極濺射,它的優點是裝置簡單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(特點 磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來,在靶材表面建立與電場正交磁場,解決了二極濺射沉積速率低,...
全書共分13章,主要講解真空鍍膜室結構、鍍膜室工件架、真空鍍膜機的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機的抽氣系統、真空室電和運動的導入結構、濺射鍍膜設備的充布氣系統、蒸發源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設計與計算。《真空...
如果真空電鍍的硬度能達到水電鍍的等級,那么水電鍍將要消失了。目前很多手機上的金屬外觀件,都採用PVD真空離子鍍,不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過比較貴,成本較高。濺射鍍:磁控濺射鍍膜設備:磁控濺射鍍膜設備是一種多功能...
雙室超高真空多功能磁控濺射設備 雙室超高真空多功能磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標 10-5Pa。主要功能 物理沉積薄膜。
JGP240型超高真空磁控濺射超導薄膜設備 JGP240型超高真空磁控濺射超導薄膜設備是由中國科學院瀋陽科學儀器股份有限公司完成的科技成果,登記於1996年10月31日。成果信息