高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空磁控濺射系統
- 產地:中國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2010年10月12日
- 所屬類別:計量儀器 > 聲學計量儀器 > 氣導聽力零級基準裝置
高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。
高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。1主要功能製備各種薄膜材料。1...
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa;漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜,納米複合膜,納米多層膜。
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
非平衡磁控濺射系統有兩種結構,一種是其芯部磁場強度比外環高,磁力線沒有閉合,被引向真空室壁,基體表面的電漿密度低,因此該方式很少被採用。另一種是外環磁場強度高於芯部磁場強度,磁力線沒有完全形成閉合迴路,部分外環的...
高真空濺射系統 高真空濺射系統是一種用於材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年11月1日啟用。技術指標 高低多靶槍,樣品旋轉,成膜均勻。主要功能 多靶槍工作成膜均勻。
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年11月30日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後); 進樣室極限真空度:≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率:≤5.0X10-7Pa...
多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月05日啟用。技術指標 7個獨立腔室:濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度:≤3x10-5Pa,...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
加熱系統:在樣品托上配有加熱電阻絲,襯底溫度在室溫範圍內可調。襯底的溫度可通過熱電偶測量及其相連電路進行控制。濺射系統:磁控濺射儀的真空室中有三個磁控陰極靶,被水冷套冷卻。真空室上部放置有直徑為的圓形樣品托。陰極靶與樣品托...