高真空磁控濺射儀

高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年12月11日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空磁控濺射儀
• 產地：日本
• 學科領域：信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學
• 啟用日期：2014年12月11日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

雙腔室真空結構（進樣室+濺射室），濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa，進樣室極限真空度優於5x10-4Pa；水冷旋轉樣品台，可採用Ar氣背冷，最大支持6英寸，同時支持10 mm ～50 mm方形、4英寸以下底板；4個4英寸靶槍，靶基距離可在50mm-150mm範圍內原位真空狀態下調節；4路MFC氣路導入；配置1台900W射頻電源，2台2000W直流電源；最低起輝氣壓0.2Pa；膜厚均勻性：優於±3%（6英寸範圍）。

主要功能

用於Ti、Pd、Mo、Nb金屬薄膜的生長，具備直流、射頻兩種濺射模式，具備射頻反濺射清洗功能，可進行共濺射。