雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年11月30日啟用。
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年11月30日啟用。技術指標濺射室極限真空度：≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真...
雙室磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2015年07月21日啟用。技術指標 主濺射室：極限真空度（烘烤除氣後）8×10-6Pa，系統真空檢漏漏率5.0×10-9Pa/S，系統經大氣抽氣40分鐘可達到6.6×10-4Pa，停泵關機12小時後真空度≤5Pa； 進樣室：極限真空度（烘烤除氣後）5×10-5Pa，系統真空...
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560，真空室尺寸：梨型真空室，真空系統配置：分子泵、機械泵、閘板閥，極限壓力：≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ，恢復真空時間：40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣)，樣品尺寸：Ф...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個樣品工位，尺寸直徑30mm，基片加熱最高600度，退火爐最高溫度800度。主要功能 用...
多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月05日啟用。技術指標 7個獨立腔室：濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度：≤3x10-5Pa，清洗室真空度：≤1x10-4Pa 進樣室、傳遞室真空度：≤8x10-5Pa; 8英寸濺射...
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月26日啟用。技術指標 1．真空腔室：雙室立式方形結構，濺射室內腔體積大致為，進出樣室：500�260�700mm。 2．真空系統：使用3套1200升分子泵系統，美國MKS自動恆壓系統； 3．真空極限：優於8.0�10-5Pa； 抽速：濺射室在工作...
超高真空磁控濺射系統 超高真空磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2008年11月10日啟用。技術指標 真空度10^(-5)Pa。主要功能 實現單晶，多晶，單層，多層的薄膜的製備。
真空高溫PVD連續磁控濺射系統 真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器（PLC）+觸控螢幕（HMI）組合電器控制系統。主要功能 使用直流（或中頻）磁控濺射，可廣泛用於各類鍍膜靶材。
超高真空多靶磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年10月31日啟用。技術指標 本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉積室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片旋轉速度(RotatingSpeed)：0~20rpm(Motordriven) 沉積功率(CathodePower):DCpower...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑：2”-8”，襯底加熱：500°C，3個3’’靶材，可共濺射，基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：1200W，2個RF電源：600W，3路氣體。可PC控制。主要功能 該設備具有三個電源三個濺射靶，可共濺射...
高真空四靶材磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年5月14日啟用。技術指標 1.4支直徑為3英寸圓形平面磁控濺射靶（永磁靶3支，鐵磁靶1支；進口Kurt.J.Lesker）。2.腔室極限真空度2×10-5Pa（分子泵：抽氣速率600L/S，北京中科院儀器公司：KYKY；機械泵：抽氣速率8L/s，愛發科）。3.採用...
