多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月05日啟用。
基本介紹
- 中文名：多腔體磁控濺射系統
- 產地：日本
- 學科領域：信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學
- 啟用日期：2013年11月05日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
7個獨立腔室：濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度：≤3x10-5Pa，清洗室真空度：≤1x10-4Pa 進樣室、傳遞室真空度：≤8x10-5Pa; 8英寸濺射靶； 6英寸樣品工位（加熱、水冷），加熱工位最高溫度600度；6英寸範圍內薄膜厚度均勻性優於±10%。
主要功能
具備原位離子束清洗，原位氧化功能，可實現Nb、NbN、NbTiN、Al、AlN薄膜、超薄膜及多層膜生長。
