多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。技術指標片徑：2”-8”，襯底加熱：500°C，3個3’’靶材，可共濺射，基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa；漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜，納米複合膜，納米多層膜。
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
對此研究人員開發出多靶非平衡磁控濺射系統，以彌補單靶非平衡磁控濺射的不足。多靶非平衡磁控濺射系統根據磁場的分布方式可以分為相鄰磁極相反的閉合磁場非平衡磁控濺射和相鄰磁極相同的鏡像磁場非平衡磁控濺射，如圖所示（a）為雙靶閉合...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2017年09月01日啟用。技術指標 （1）濺射室極限真空度2×10－5帕，系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10－4，停機12小時後真空度≤10帕。（2）通過二路MFC質量流量控制器充...
超高真空多功能磁控濺射系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年9月9日啟用。技術指標 極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在...
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年11月30日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0X10-7Pa...
真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器（PLC）+觸控螢幕（HMI）組合電器控制系統。主要功能 使用直流（或中頻）磁控濺射，可廣泛用於各類鍍膜靶材。
多靶磁控濺射 TbCo 薄膜的製備是在SPF-430H 多靶磁控濺射系統上採用射頻磁控濺射方法進行的。基片為玻璃，濺射時保持基片水冷。濺射用靶分別為 Cr 靶、Co 基複合靶，以及 SiO2 靶。複合靶成分的調節是靠調整Co 靶上所放置的Tb 片...
經過近10年的建設和運行，實驗室擁有了多種薄膜材料製備設備，如微波ECR電漿化學氣相沉積系統、雙頻RF-CCP/ICP化學氣相沉積系統、多靶磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統、雙離子束濺射系統等。實驗室還擁有多種薄膜材料的結構與性能的檢測...
