多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。
基本介紹
- 中文名:多靶磁控濺射鍍膜系統
- 產地:美國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2014年7月2日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。
多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。1主要功能濺射沉積各種金屬和介質。1...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充工作氣體,每路氣體單獨控制。MFC流量範圍:一路200SCCM(V2氬氣)、一路100SCCM...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑:2”-8”,襯底加熱:500°C,3個3’’靶材,可共濺射,基本壓力:?10-7torr,1個DC電源:1200W,2個RF電源:600W,3路氣體。可PC控制。主要功能 該設備具有三個電源三個濺射靶,可共濺射...
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;樣品可加熱300℃;採用計算機控制鍍膜系統; 二路質量流量計控制進氣;流量0~100...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個樣品工位,尺寸直徑30mm,基片加熱最高600度,退火爐最高溫度800度。主要功能 用...
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備 高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金薄膜。
超高真空多靶磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年10月31日啟用。技術指標 本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉積室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片旋轉速度(RotatingSpeed):0~20rpm(Motordriven) 沉積功率(CathodePower):DCpower...
磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年03月26日啟用。技術指標 1.配裝3支Ф2英寸的磁控濺射靶,其中一支可鍍鐵磁材料。2.磁控濺射靶射頻(RF)、直流(DC)兼容。3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板。4.極限真空:5*10-5Pa;工作背景真空:7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6...
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門:CCQ-200型電磁氣動插板閥一個,高真空電磁氣動隔斷閥3個,壓差閥2個,其他...
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的儀器,於2016年01月01日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤8.0x10-6Pa;進樣室極限真空度:≤6.67x10-4Pa;系統有5支磁控靶:4支2英寸,1支3英寸;。主要功能 能夠濺射各種金屬、半導體、陶瓷、鐵磁等薄膜,只要提供各種靶材,理論上就能濺射各種金屬...
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa;漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜,納米複合膜,納米多層膜。
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃,控制精度不大於±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配時間精度不大於5秒。高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜...
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 樣品台採用PLC電路控制,樣品台可以水平移動的同時還可以自轉,水平運動速度為10-50 mm/分往復運動,連續可調;自轉的轉速在0~20轉/分範圍內連續可調,在停止轉動時基片回零。靶與基片之間距離50-...
磁控濺射靶的非平衡磁場不僅有通過改變內外磁體的大小和強度的永磁體獲得,也有由兩組電磁線圈產生,或採用電磁線圈與永磁體混合結構,還有在陰極和基體之間增加附加的螺線管,用來改變陰極和基體之間的磁場,並以它來控制沉積過程中離子和原子的比例。非平衡磁控濺射系統有兩種結構,一種是其芯部磁場強度比外環高,磁力...
1、主真空室的本底真空優於2×10-8Torr;2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2%;3、可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全自動控制;6、18英寸主濺射室;7、高真空泵抽系統;8、超高真空磁控濺射靶;直流/射頻電源;9、4英寸樣品台;10、...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,採用 微機控制樣品轉盤和靶擋板,既可以製備單層膜,又可以製備各種...
粉體微顆粒表面磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2015年10月1日啟用。技術指標 粉體/顆粒尺寸:≥0.5μm,濺射源:Φ3英寸圓形平面靶2隻矩形平面靶1隻,極限真空:1.7×10-9Pa(分子泵)1.1×10-8Pa(擴散泵)。主要功能 在載體表面進行功能性修飾鍍膜,提高催化劑在電化學環境中的導電性能...
金屬多靶磁控濺射機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 1、真空系統:複合分子泵+直聯旋片無油機械泵抽真空系統;真空極限:優於5.0×10E-5Pa ;抽速:從大氣開始抽氣,濺射室25分鐘可達到10E-4Pa;系統漏率≤ 5×10-7PaL/s,系統停泵關機12小時後真空度≤5Pa...
多靶磁控濺射設備 多靶磁控濺射設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於1999年7月1日啟用。技術指標 4靶位,直流/射頻磁控濺射。主要功能 用於高質量薄膜濺射生長。
1. 有機分子束外延室:系統極限真空6.6×10-5Pa;系統漏率,停泵關機12小時後真空度≤5Pa。 2. 無機鍍膜室:系統極限真空可達6.6×10-5Pa;基片Ф75mm,可旋轉,步進電機驅動,轉速5~60轉∕分。 3. 磁控濺射系統:系統極限真空可達6.6×10-5Pa;三個永磁靶和一個強磁靶,靶直徑均為Φ60mm。主要功能...
磁控濺射:在陰極靶表面形成一正交電磁場,在此區電子密度高,進而提高離子密度,使得濺鍍率提高(一個數量級),濺射速度可達0.1-1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳,是最實用的鍍膜技術之一。其它有偏壓濺射、反應濺射、離子束濺射等鍍膜技術。濺鍍機設備與工藝 設備 濺鍍機由真空室,排氣系統,濺射源和控制系統組成...
高真空磁控濺射鍍膜機 高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和射頻濺射對不同的靶材進行濺射沉積鍍膜。
磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點:可製備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以製成靶材;在適當條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恆定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、 氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜;通過精確地控制濺射鍍膜過程,容易獲得均勻的高精度的...
軟體可對不同結構和尺寸的磁控濺射裝置的磁場和放電電漿進行仿真。 (4) 構建了脈衝直流磁控濺射放電電漿特性測試平台,基於時間分辨朗繆爾探針系統和光譜儀分別進行了電漿參數和發射光譜的測試,並分析了工藝參數對電漿參數和發射光譜的影響。 (5) 構建了脈衝直流磁控濺射鍍膜平台,進行了Mo、AZO和ITO幾...
3.晶格有序度的均勻性: 這決定了薄膜是單晶,多晶,非晶,是真空鍍膜技術中的熱點問題,具體見下。主要分類 主要分類有兩個大種類: 蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜,具體則包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,溶膠凝膠法等等 。一、對於蒸發鍍膜:一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被...
本項目採用高功率脈衝磁控濺射(HPPMS)技術,提高鈦、鉻濺射原子的離化率,控制薄膜沉積時離子的通量、入射方向及能量,消除“陰影”效應,在複雜工件的各個平面得到緻密度高、厚度、結構、性能相同的均質氮化鈦、氮化鉻薄膜。本項目首先系統研究了電源屬性(限流電阻、頻率、脈寬、電流、電壓、峰值功率、平均功率等)、...
6、採用自主研發的傾斜式磁鋼矩陣排列,擴大了陰極靶材表面氣隙場範圍,增大了靶材被刻蝕濺射的面積,提高靶材的利用率和均勻性。表面氣隙場水平分量均勻性在±2%以內。7、使用自主研發的三維空間磁場測量分析系統,系統用於測量磁鋼陣列的空間氣隙場分布及磁鋼安裝、調整,為陰極研發提供有效的技術手段。8.離子鍍膜技術是...