磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的儀器，於2016年01月01日啟用。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4)檢壓計，MKS 626A；(5)濺射源，...
磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的儀器，於2016年01月01日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤8.0x10-6Pa；進樣室極限真空度：≤6.67x10-4Pa；系統有5支磁控靶：4支2英寸，1支3英寸；。主要功能 能夠濺射...
Singulus磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年10月14日啟用。技術指標 1、晶圓尺寸：最大為8寸晶圓。 2、12個PVD濺射靶材，靶材直徑100mm。 3、最多4個陰極共濺射。 4、濺射模式：直流、脈衝直流、射頻...
磁控濺射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器，於2016年1月11日啟用。技術指標 1） 真空性能：極限真空(Ultimate Pressure):9E-8Torr；真空抽速：30分鐘從大氣壓抽到4E-6Torr；真空室漏率：5 E-5Torr.L/s2)...
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月26日啟用。技術指標 1．真空腔室：雙室立式方形結構，濺射室內腔體積大致為，進出樣室：500�260�700mm。 2．真空系統：使用3套1200升分子泵系統，美國...
雙室磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2015年07月21日啟用。技術指標 主濺射室：極限真空度（烘烤除氣後）8×10-6Pa，系統真空檢漏漏率5.0×10-9Pa/S，系統經大氣抽氣40分鐘可達到6.6×10-4Pa，停泵關機12小時...
磁控濺射是20世紀70年代迅速發展起來的新型我射技術。其鍍膜速率與二極濺射相比提高了一個數量級。1974 年Chapin 發明了適於工業套用的平面磁控濺射靶，對磁控濺射進人生產領域起了推動作用。磁控濺射的特點是在陰極靶面建立了一個環形磁場...
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10（-8）Torr；3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源； 直徑50mm 沉積襯底可旋轉，可加熱至900度； 氧氣和氬氣流量可...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑：2”-8”，襯底加熱：500°C，3個3’’靶材，可共濺射，基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：1200W，2個RF電源：...
設備由一個濺射室和一個進樣室構成，濺射室內有一個三英寸的垂直靶和三個傾斜靶，可以濺鍍尺寸不超過10cm的基片；設備的極限真空度：≤5x10-5 Pa (經烘烤除氣後)；系統真空檢漏漏率：≤5x10-8 Pa.l/S；系統從大氣開始抽氣：...
磁控濺射A2D沉積是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的物理性能測試儀器，於2011年12月31日啟用。技術指標 沉積溫度室溫-400攝氏度。主要功能 用於多種薄膜的沉積，包括金屬、合金、陶瓷、複合膜等，用途廣泛。
磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能，每種沉積方式都有可以間替地對多種材料進行沉積。
柔性襯底磁控濺射系統 柔性襯底磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月10日啟用。技術指標 柔性襯底沉積功能薄膜，不對襯底造成破壞。主要功能 在較低溫度在柔性襯底上沉積功能納米薄膜。
離子束輔助磁控濺射系統 離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2011年1月1日啟用。技術指標 兩個500W射頻靶 兩個500W直流靶 極限真空 1*10-6 Pa 陽極離子源一個。主要功能 沉積功能薄膜材料。
磁控濺射測試系統 磁控濺射測試系統是一種用於化學領域的分析儀器，於2004年03月24日啟用。技術指標 直流濺射功率最高200W,射頻濺射功率最高300W。主要功能 採用金屬或非金屬靶材進行物相沉積。
最佳化沉積工藝條件，系統研究離子能量、沉積溫度等因素對薄膜結構、磁化強度、電極化強度等參數的影響,揭示薄膜性能隨材料成分和結構變化的基本規律，為離子束輔助磁控濺射技術製備多鐵性ZnO:Li/GaN:Gd異質結提供科學依據。
