多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年7月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:多靶磁控濺射系統
- 產地:加拿大
- 學科領域:信息科學與系統科學、材料科學
- 啟用日期:2015年7月20日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年7月20日啟用。
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年7月20日啟用。技術指標片徑:2”-8”,襯底加熱:500°C,3個3’’靶材,可共濺射,基本壓力:?10-7torr,1個DC電源:...
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa;漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜,納米複合膜,納米多層膜。
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560,真空室尺寸:梨型真空室,真空系統配置:分子泵、機械泵、閘板閥,極限壓力:≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ,恢復真空時間:40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣),樣品尺寸:Ф...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個樣品工位,尺寸直徑30mm,基片加熱最高600度,退火爐最高溫度800度。主要功能 用...
多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月05日啟用。技術指標 7個獨立腔室:濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度:≤3x10-5Pa,清洗室真空度:≤1x10-4Pa 進樣室、傳遞室真空度:≤8x10-5Pa; 8英寸濺射...
多靶非平衡磁控濺射系統根據磁場的分布方式可以分為相鄰磁極相反的閉合磁場非平衡磁控濺射和相鄰磁極相同的鏡像磁場非平衡磁控濺射,如圖所示(a)為雙靶閉合磁場,(b)為雙靶鏡像磁場。比較閉合磁場非平衡靶對和鏡像靶對的磁場分布情況,可以看出在靶材表面附近磁場差別不大,內外磁極之間橫向磁場對電子的約束形成一個...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充工作氣體,每路氣體單獨控制。MFC流量範圍:一路200SCCM(V2氬氣)、一路100SCCM...
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
真空高溫PVD連續磁控濺射系統 真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器(PLC)+觸控螢幕(HMI)組合電器控制系統。主要功能 使用直流(或中頻)磁控濺射,可廣泛用於各類鍍膜靶材。
採用射頻磁控濺射法製備了 TbCo 非晶垂直磁化膜,並就製備工藝及參數對其磁各向異性能的影響進行了研究。結果表明:磁性層組分、濺射氣壓、基片偏壓以及後退火溫度對 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向異性能都有不同程度的影響。多靶磁控濺射 TbCo 薄膜的製備是在SPF-430H 多靶磁控濺射系統上採用射頻磁控濺射方法進行的...
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年11月30日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後); 進樣室極限真空度:≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率:≤5.0X10-7Pa.l/S; 系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣:濺射室30分鐘可達到6.6X10...
經過近10年的建設和運行,實驗室擁有了多種薄膜材料製備設備,如微波ECR電漿化學氣相沉積系統、雙頻RF-CCP/ICP化學氣相沉積系統、多靶磁控濺射系統、脈衝雷射沉積系統、雙離子束濺射系統等。實驗室還擁有多種薄膜材料的結構與性能的檢測儀器,如大功率XRD、原子力顯微鏡、紅外吸收譜儀、螢光光譜儀、振動樣品磁強計、...