磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年11月20日啟用。
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年11月20日啟用。技術指標JGP-560，真空室尺寸：梨型真空室，真空系統配置：分子泵、機械泵、閘板閥，極限壓力：≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ...
磁控濺射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器，於2016年1月11日啟用。技術指標 （1） 真空性能：極限真空（Ultimate Pressure）:9E-8Torr；真空抽速：30分鐘從大氣壓抽到4E-6Torr；真空室漏率：5 E-5Torr.L/s（2）樣品台加熱溫度800℃，能夠在O2氣氛下長時間工作，溫度控制精度優於#177;...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門：CCQ-200型電磁氣動插板閥一個，高真空電磁氣動隔斷閥3個，壓差閥2個，其他...
磁控濺射測試系統 磁控濺射測試系統是一種用於化學領域的分析儀器，於2004年03月24日啟用。技術指標 直流濺射功率最高200W,射頻濺射功率最高300W。主要功能 採用金屬或非金屬靶材進行物相沉積。
磁控濺射電子束蒸發系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年8月31日啟用。技術指標 極限真空≤5.0E-5Pa（經烘烤除氣後），襯底固定4襯底固定，可放置4片10×10cm2方形樣品，。主要功能 電子束蒸鍍（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種，是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使...
多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月05日啟用。技術指標 7個獨立腔室：濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度：≤3x10-5Pa，清洗室真空度：≤1x10-4Pa 進樣室、傳遞室真空度：≤8x10-5Pa; 8英寸濺射...
磁控濺射靶的非平衡磁場不僅有通過改變內外磁體的大小和強度的永磁體獲得，也有由兩組電磁線圈產生，或採用電磁線圈與永磁體混合結構，還有在陰極和基體之間增加附加的螺線管，用來改變陰極和基體之間的磁場，並以它來控制沉積過程中離子和原子的比例。非平衡磁控濺射系統有兩種結構，一種是其芯部磁場強度比外環高，磁力...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑：2”-8”，襯底加熱：500°C，3個3’’靶材，可共濺射，基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：1200W，2個RF電源：600W，3路氣體。可PC控制。主要功能 該設備具有三個電源三個濺射靶，可共濺射...
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器，於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率：5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年11月30日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0X10-7Pa.l/S； 系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6X10...
雙室磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2015年07月21日啟用。技術指標 主濺射室：極限真空度（烘烤除氣後）8×10-6Pa，系統真空檢漏漏率5.0×10-9Pa/S，系統經大氣抽氣40分鐘可達到6.6×10-4Pa，停泵關機12小時後真空度≤5Pa； 進樣室：極限真空度（烘烤除氣後）5×10-5Pa，系統真空...
多功能磁控濺射系統 多功能磁控濺射系統是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器，於2006年5月24日啟用。技術指標 主濺射室=￠560*280MM。主要功能 製備功能性薄膜。
真空高溫PVD連續磁控濺射系統 真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器（PLC）+觸控螢幕（HMI）組合電器控制系統。主要功能 使用直流（或中頻）磁控濺射，可廣泛用於各類鍍膜靶材。
磁控濺射系統功能擴充部件 磁控濺射系統功能擴充部件是一種用於能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2015年6月5日啟用。技術指標 ITO薄膜均勻性:200nm＜±5%(across 150mm)；Cr薄膜均勻性:200nm＜±5%(across 150mm)。主要功能 薄膜製備。
磁控濺射薄膜制樣系統 磁控濺射薄膜制樣系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月19日啟用。技術指標 500W射頻、1000W脈衝直流、350攝氏度基片加熱、4組3英寸載台，2組2英寸靶位。主要功能 通過物理氣相沉積結合射頻電源，能夠高效地製備高均勻度、成分厚度可控的薄膜材料。
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月26日啟用。技術指標 1．真空腔室：雙室立式方形結構，濺射室內腔體積大致為，進出樣室：500�260�700mm。 2．真空系統：使用3套1200升分子泵系統，美國MKS自動恆壓系統； 3．真空極限：優於8.0�10-5Pa； 抽速：濺射室在工作...
高真空多靶磁控濺射系統 高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2005年1月12日啟用。技術指標 真空度10負5次方Pa；漏率1.5Pa。主要功能 製備單層納米薄膜，納米複合膜，納米多層膜。
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器，於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
柔性襯底磁控濺射系統 柔性襯底磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月10日啟用。技術指標 柔性襯底沉積功能薄膜，不對襯底造成破壞。主要功能 在較低溫度在柔性襯底上沉積功能納米薄膜。
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的轉速在0～20轉/分範圍內連續可調，在停止轉動時基片回零。靶與基片之間距離50-...
磁控濺射覆膜系統 磁控濺射覆膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的分析儀器，於2015年12月24日啟用。技術指標 可以沉積金屬、金屬氧化物，理論最小厚度為單原子層，只能進行薄膜沉積，真空度8*10^-5，加熱溫度500度。主要功能 主要功能是進行薄膜的沉積以及金屬材料、非金屬材料的表面改性。
磁控濺射子系統 磁控濺射子系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2001年11月30日啟用。技術指標 直流，磁控濺射，4英寸，高真空。主要功能 鍍制納米薄膜。
內裝式磁控濺射源系統 內裝式磁控濺射源系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月10日啟用。技術指標 1. 濺射靶尺寸：508mm*38mm 2. 最低濺射氣壓：1mTorr 3. 電源功率為1500W。主要功能 套用於大尺寸X射線多層膜製作。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室，304 SS；(2)真空抽氣系統，TMH/U 521C；(3)真空測量系統，KJLC/MKS 979；(4)檢壓計，MKS 626A；(5)濺射源，Torus 2；(6)控制系統，KJLC “C-Ware”控制軟體；(7)其他配件：電源等。主要...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空：濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率：停泵關機 12小時後，濺射室真空度可達≤5Pa。 3/膜厚均性性Φ100mm基片上±5%。 4/系統採用...
高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統 高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年6月23日啟用。技術指標 真空度：6.7×10－5Pa 加熱溫度：室溫~800oC 濺射功率：500W×3。主要功能 真空鍍膜。
脈衝雷射沉積和磁控濺射雙模式沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月29日啟用。技術指標 本底真空度10（-8）Torr；3/6 PLD 靶材 和 2個濺射靶源； 直徑50mm 沉積襯底可旋轉，可加熱至900度； 氧氣和氬氣流量可控制等。主要功能 系統真空腔室中可完成PLD和測控濺射兩個方式沉積鍍膜。
