多功能磁控濺射系統是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器,於2006年5月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:多功能磁控濺射系統
- 產地:中國
- 學科領域:化學、材料科學
- 啟用日期:2006年5月24日
- 所屬類別:分析儀器 > 電化學儀器
多功能磁控濺射系統是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器,於2006年5月24日啟用。
多功能磁控濺射系統是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器,於2006年5月24日啟用。技術指標主濺射室=¢560*280MM。1主要功能製備功能性薄膜。1...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空:濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率:停泵關機 12小時後...
超高真空磁控濺射系統 超高真空磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年11月10日啟用。技術指標 真空度10^(-5)Pa。主要功能 實現單晶,多晶,單層,多層的薄膜的製備。
磁控濺射覆膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 可以沉積金屬、金屬氧化物,理論最小厚度為單原子層,只能進行薄膜沉積,真空度8*10^-5,加熱溫度500度。主要功能 主要功能是進行薄膜的...
高真空四靶材磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年5月14日啟用。技術指標 1.4支直徑為3英寸圓形平面磁控濺射靶(永磁靶3支,鐵磁靶1支;進口Kurt.J.Lesker)。2.腔室極限真空度2×10-5Pa(分子泵:抽氣速率...
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
磁控濺射系統功能擴充部件是一種用於能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年6月5日啟用。技術指標 ITO薄膜均勻性:200nm<±5%(across 150mm);Cr薄膜均勻性:200nm<±5%(across 150mm)。主要功能 薄膜製備。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
內裝式磁控濺射源系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月10日啟用。技術指標 1. 濺射靶尺寸:508mm*38mm 2. 最低濺射氣壓:1mTorr 3. 電源功率為1500W。主要功能 套用於大尺寸X射線多層膜製作。
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 樣品台採用PLC電路控制,樣品台可以水平移動的同時還可以自轉,水平運動速度為10-50 mm/分往復運動,連續可調;自轉的...
柔性襯底磁控濺射系統 柔性襯底磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月10日啟用。技術指標 柔性襯底沉積功能薄膜,不對襯底造成破壞。主要功能 在較低溫度在柔性襯底上沉積功能納米薄膜。
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月26日啟用。技術指標 1.真空腔室:雙室立式方形結構,濺射室內腔體積大致為,進出樣室:500�260�700mm。 2.真空系統:使用3套1200升分子泵系統,美國...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;...
雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統 雙室四靶材磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年3月19日啟用。技術指標 MSP-3220。主要功能 用於在真空條件下生長金屬氧化物和氮化物等新一代半導體材料薄膜。
粉體微顆粒表面磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2015年10月1日啟用。技術指標 粉體/顆粒尺寸:≥0.5μm,濺射源:Φ3英寸圓形平面靶2隻矩形平面靶1隻,極限真空:1.7×10-9Pa(分子泵)1.1×10-8Pa(擴散泵)...
實驗室重點設備有D8-Discover型高分辨X射線衍射儀、MTS納米壓痕儀、射頻探針系統、LWS-500型雷射焊接系統、超高真空多功能磁控濺射系統、微波ECR電漿源離子注/滲系統、微摩擦磨損試驗機、ECR-電漿增強MOCVD系統 (ESPD-U)、射頻感應...