高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空磁控濺射鍍膜系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年12月14日
高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。
高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標子系統一:工裝和卡具。1主要功能鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。1...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa?
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560,真空室尺寸:梨型真空室,真空系統配置:分子泵、機械泵、閘板閥,極限壓力:≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ,恢復真空時間:40分鐘...
3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板。4.極限真空:5*10-5Pa;工作背景真空:7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6.基片可加熱至500℃.7.控制系統:PC+PLC全自動控制。主要功能 磁濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機,用於各種單層膜...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空:濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率:停泵關機 12小時後...
磁控濺射子系統 磁控濺射子系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2001年11月30日啟用。技術指標 直流,磁控濺射,4英寸,高真空。主要功能 鍍制納米薄膜。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
高真空鍍膜系統是一種用於生物學領域的工藝試驗儀器,於2017年05月08日啟用。技術指標 真空度可快速達到0.0001帕以下; 真空艙可容納直徑6cm以上材料; 鍍膜範圍大於50mm; 同時包含碳蒸發和金屬投影兩項功能;。主要功能 碳蒸發與金屬...
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統...
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
磁控濺射離子鍍裝置是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 (1)真空腔室極限真空度:8.5×10-6Torr;(2)真空系統允許最大外漏率:≤2.0×10-1Torr(在真空腔室壓強4.0×10-5Torr時關閉高真空閥...
超高真空磁控濺射設備是一種用於材料科學、能源科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月11日啟用。技術指標 1、系統真空指標:磁控濺射室:經48小時連續烘烤(150℃),優於6.0×10-6Pa;樣品室:經12...
可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全自動控制;6、18英寸主濺射室;7、高真空泵抽系統;8、超高真空磁控濺射靶;直流/射頻電源;9、4英寸樣品台;10、PhaseII-J控制系統...
高真空四靶材磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年5月14日啟用。技術指標 1.4支直徑為3英寸圓形平面磁控濺射靶(永磁靶3支,鐵磁靶1支;進口Kurt.J.Lesker)。2.腔室極限真空度2×10-5Pa(分子泵:抽氣速率...