超高真空磁控濺射設備是一種用於材料科學、能源科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月11日啟用。
基本介紹
- 中文名：超高真空磁控濺射設備
- 產地：中國
- 學科領域：材料科學、能源科學技術、環境科學技術及資源科學技術
- 啟用日期：2012年12月11日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
1、系統真空指標：磁控濺射室：經48小時連續烘烤（150℃），優於6.0×10-6Pa；樣品室：經12小時連續烘烤（120℃），優於6.0×10-5Pa；2、抽氣速率：磁控濺射室：系統充入乾燥氮氣後暴露大氣5分鐘內開始抽氣，在≤30分鐘內，其真空度≤8.0×10-4Pa；樣品室：系統充入乾燥氮氣後暴露大氣5分鐘內開始抽氣，在≤30分鐘內，其真空度≤7.0×10-4Pa；3、系統檢漏漏率：優於1.3×10-8Pa?L/S。4、真空獲得及測量濺射室：FB1200渦輪分子泵+2X。
主要功能
該設備採用磁控濺射方式，用於開發納米級的單層及多層功能膜—各種金屬膜、半導體膜、介質膜及各類光學薄膜、磁記錄薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜等。
