高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。
基本介紹
- 中文名:高磁控濺射鍍膜機
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2012年07月09日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位9...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa?
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃,控制精度不大於±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,...
全自動磁控濺射鍍膜設備 全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。主要功能 用於納米或微米級金屬薄膜的製備。
濺射鍍膜機 濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月4日啟用。技術指標 多種物理方法製備薄膜,重複性好。主要功能 薄膜製備、刻蝕。
卷繞磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的科學儀器,於2004年12月1日啟用。技術指標 極限真空度:6.67*10-4Pa,恢復真空時間:10分鐘,由105~10-1 Pa 基材:聚酯薄膜,幅寬400mm,最大圈徑φ...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
熱蒸發磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2004年01月01日啟用。技術指標 兩腔(φ500mmX480mm,φ500mmX500mm)。工作真空7x10^(-4)Pa,整機阻抗1MΩ/500V.P.C. 用於有機/無機薄膜製備,膜厚可以控制在nm量機...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; ...
高離化率磁控濺射複合受控陰極電弧鍍膜裝置 高離化率磁控濺射複合受控陰極電弧鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年5月31日啟用。技術指標 操作溫度:5-50度 壓力:0.05-0.3MPa。主要功能 材料鍍膜設備。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;...
JTR-700集熱管磁控濺射鍍膜機 JTR-700集熱管磁控濺射鍍膜機是由北京北儀創新真空技術有限責任公司完成的科技成果,登記於1996年10月31日。成果信息
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...
鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年12月17日啟用。技術指標 樣品顆粒粒度:3μm~100μm。主要功能 能夠在微顆粒表面沉積各種金屬薄膜(包括磁性金屬膜)、金屬氧化物薄膜、金屬氮化物薄膜及合金薄膜,且所鍍薄膜緻密、...