全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:全自動磁控濺射鍍膜設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2014年1月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。
全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。1主要功能用於納米或微米級金屬薄膜的製備。1...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門:CCQ-200型電磁氣動插板閥一個,高真空電磁氣動隔斷閥3個,壓差閥2個,其他...
可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全自動控制;6、18英寸主濺射室;7、高真空泵抽系統;8、超高真空磁控濺射靶;直流/射頻電源;9、4英寸樣品台;10、PhaseII-J控制系統。主要功能 納米磁性薄膜製備設備,可以製備納米磁性薄膜,能加熱,共五個靶位。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa? 濺射室:≤8.0×10-7Pa3.真空室漏氣率:≤5.0×10-8Pa·L/s4.抽氣速率:...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:室溫到400℃可調,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。主要功能 材料鍍膜...
邊緣去除5mm。主要功能 可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗,配備加熱系統可以將抽真空速度加快,本底真空降低;可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜,較非摻雜薄膜性質變多,性能不同,更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高,開/關機配備一鍵啟動/關閉功能,方便操作。
高真空磁控濺射鍍膜機 高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和射頻濺射對不同的靶材進行濺射沉積鍍膜。
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作,無機介質薄膜的製作。
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;樣品可加熱300℃;採用計算機控制鍍膜系統; 二路質量流量計控制進氣;流量0~100...
超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標 · 在20 GHz時達108 dB的動態範圍 · 在1 kHz的IFBW下軌跡噪聲<0.006 dB · 量測速度<9 µsec/point · 32個量測頻道,每個頻道最多16,001個點 · 支持TRM/LRM校驗,以達到最準確的晶圓上、接上...
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備 高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金薄膜。
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,採用 微機控制樣品轉盤和靶擋板,既可以製備單層膜,又可以製備各種...
高真空磁控濺射與離子束濺射複合鍍膜設備是一種用於物理學、地球科學、工程與技術科學基礎學科領域的物理性能測試儀器,於2008年12月8日啟用。技術指標 1. 真空泵:分子泵; 2. 樣品傳輸:手動真空環境傳輸; 3. 原位監控:流量監控、氣壓監控、濺射電學參數監控; 4. 濺射方式:射頻(RF),直流(DC)。主要功能...
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor); 進樣室:經烘烤可達7×10-4Pa(5.2×10-6Toor)。主要功能 濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor)。
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。