磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2008年10月15日啟用。技術指標抽真空速度（空載）：大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內，極限真空度（空載）：系統經烘烤後連續抽氣，真空度≤6.6×10-5...
磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年03月26日啟用。技術指標 1.配裝3支Ф2英寸的磁控濺射靶，其中一支可鍍鐵磁材料。2.磁控濺射靶射頻（RF）、直流（DC）兼容。3.每隻磁控濺射靶均配備擋板，基片配擋板。
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2010年6月25日啟用。技術指標 ＜10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
磁控濺射鍍膜儀是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的工藝試驗儀器，於2006年12月30日啟用。技術指標 1、主真空室的本底真空優於2×10－8Torr；2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2％；3、可以濺射磁性和非...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空＜8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室，包含1個樣片室，1個濺射室。2.極限真空（環境濕度≤55%，經烘烤除氣後）:？ 樣片室:≤2.0×10-3Pa？
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa，樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射，可生長梯度材料。
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器，於2015年12月16日啟用。技術指標 圓柱型304不鏽鋼腔室，配有頂蓋與底蓋，名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高，配有1個觀察窗，並配有觀察窗擋板，前級泵採用抽速6.8cfm的油潤滑機械...
可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質變多，性能不同，更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高，開/關機配備...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa，四寸濺射靶材，可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
高真空磁控濺射與離子束濺射複合鍍膜設備是一種用於物理學、地球科學、工程與技術科學基礎學科領域的物理性能測試儀器，於2008年12月8日啟用。技術指標 1. 真空泵：分子泵； 2. 樣品傳輸：手動真空環境傳輸； 3. 原位監控：流量監控、...
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空：濺射室：系統經烘烤，可達8×10-6Pa；永磁靶直徑Φ50㎜， 直流電源一台；樣品可自轉，一次可鍍一片；...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空：濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率：停泵關機 12小時後...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2017年09月01日啟用。技術指標 （1）濺射室極限真空度2×10－5帕，系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10－4，停機12小時後真空度≤10帕。（2）通過二路MFC質量流量控制器充...
非平衡磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的工藝試驗儀器，於2014年04月22日啟用。技術指標 該設備的新型閉合場非平衡磁控濺射系統的離子流是傳統磁控濺射離子流的100倍，是該公司早期的非平衡磁控濺射離子流的2.5倍。可...
多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源：襯底預先清洗輔助沉積；磁控濺射沉積：射頻(RF)，直流(DC)；靜態濺射，共濺射，反應濺射，線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜...
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片，片內均勻性優於±5%，重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。技術指標 （1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性薄膜。在...
