磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。
基本介紹
- 中文名:磁控濺射鍍膜系統
- 產地:中國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2016年06月29日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。
磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。1主要功能可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。1...
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門:CCQ-200型電磁氣動插板閥一個,高真空電磁氣動隔斷閥3個,壓差閥2個,其他...
濺射鍍膜系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的分析儀器,於2014年12月22日啟用。技術指標 直流功率:2kW 射頻功率:600W 晶片尺寸:最大 6 英寸 真空度:10-7 Torr 靶材: Ti、Au、Pt、Al、Ag、Nb、Al2O3、SiO2等 典型沉積速率:0.1A~3A/s; 均勻性:±5%。主要功能 磁控濺射是物理氣相沉積的一種...
科研兼中式多功能磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年5月31日啟用。技術指標 1、極限真空:濺射室(經烘烤)真空度極限≤6.7×10-5Pa。 2、系統漏率:停泵關機 12小時後,濺射室真空度可達≤5Pa。 3/膜厚均性性Φ100mm基片上±5%。 4/系統採用...
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560,真空室尺寸:梨型真空室,真空系統配置:分子泵、機械泵、閘板閥,極限壓力:≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ,恢復真空時間:40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣),樣品尺寸:Ф...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
多靶磁控濺射鍍膜系統 多靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月2日啟用。技術指標 直徑6英寸基片,片內均勻性優於±5%,重複性優於±3%。主要功能 濺射沉積各種金屬和介質。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,Torus 2;(6)控制系統,KJLC “C-Ware”控制軟體;(7)其他配件:電源等。主要...
多功能磁控濺射鍍膜是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年05月09日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達8×10-6Pa;永磁靶直徑Φ50㎜, 直流電源一台;樣品可自轉,一次可鍍一片;樣品可加熱300℃;採用計算機控制鍍膜系統; 二路質量流量計控制進氣;流量0~100...
多靶磁控濺射鍍膜是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2017年09月01日啟用。技術指標 (1)濺射室極限真空度2×10-5帕,系統大氣抽取60分鐘可以達到5×10-4,停機12小時後真空度≤10帕。(2)通過二路MFC質量流量控制器充工作氣體,每路氣體單獨控制。MFC流量範圍:一路200SCCM(V2氬氣)、一路100SCCM...
磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的儀器,於2016年01月01日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤8.0x10-6Pa;進樣室極限真空度:≤6.67x10-4Pa;系統有5支磁控靶:4支2英寸,1支3英寸;。主要功能 能夠濺射各種金屬、半導體、陶瓷、鐵磁等薄膜,只要提供各種靶材,理論上就能濺射各種金屬...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,採用 微機控制樣品轉盤和靶擋板,既可以製備單層膜,又可以製備各種...
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:室溫到400℃可調,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。主要功能 材料鍍膜...
高真空磁控濺射鍍膜機 高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和射頻濺射對不同的靶材進行濺射沉積鍍膜。
三靶共濺射磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年1月1日啟用。技術指標 樣品能加熱到600℃,控制精度不大於±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配時間精度不大於5秒。高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜...