射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器,於2015年12月16日啟用。
基本介紹
- 中文名:射頻磁控濺射設備
- 產地:美國
- 學科領域:能源科學技術
- 啟用日期:2015年12月16日
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器,於2015年12月16日啟用。
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器,於2015年12月16日啟用。技術指標圓柱型304不鏽鋼腔室,配有頂蓋與底蓋,名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高,配有1個觀察窗,並配有觀察窗擋板,前級泵採用抽速...
磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2013年02月18日啟用。技術指標 直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料,不適於絕緣材料,因為轟擊絕緣靶材時...
超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標 · 在20 GHz時達108 dB的動態範圍 · 在1 kHz的IFBW下軌跡噪聲<0.006 dB · 量測速度<9 µsec/point · 32個量測頻道,...
高頻磁控濺射設備 高頻磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年5月19日啟用。技術指標 <1*10-4Pa。主要功能 本底真空可達1×10-4Pa,可進行大面積沉積鍍膜。
全自動磁控濺射鍍膜設備 全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。主要功能 用於納米或微米級金屬薄膜的製備。
多功能磁控濺射薄膜生長平台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2017年3月15日啟用。技術指標 限真空≤5.0×10-6 Pa;磁控靶槍6台;射頻電源功率≥300 W;直流電源,功率≥500 W。主要功能 薄膜沉積,材料製備。
多靶磁控濺射設備 多靶磁控濺射設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於1999年7月1日啟用。技術指標 4靶位,直流/射頻磁控濺射。主要功能 用於高質量薄膜濺射生長。
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
兩個磁控濺射靶,直流靶和射頻靶。一電子槍靶。主要功能 兩腔(φ500mmX480mm,φ500mmX500mm)。工作真空7x10^(-4)Pa,整機阻抗1MΩ/500V.P.C. 用於有機/無機薄膜製備,膜厚可以控制在nm量機上。極限真空可達10-5 Pa,工作真空...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流...
雙室超高真空多功能磁控濺射設備 雙室超高真空多功能磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標 10-5Pa。主要功能 物理沉積薄膜。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作,無機介質薄膜的製作。
磁控濺射設備通用技術條件 《磁控濺射設備通用技術條件》是1994年10月01日實施的一項行業標準。備案信息 備案號:0062-1994。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源 用途:本設備套用磁控濺射原理,在真空環境下,在玻璃、陶瓷等非金屬;半導體;金屬基體上製備各種金屬膜、合 金膜、反應化合物膜、介質膜...