超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器，於2011年1月1日啟用。
超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器，於2011年1月1日啟用。技術指標· 在20 GHz時達108 dB的動態範圍 · 在1 kHz的IFBW下軌跡噪聲＜0.006 dB · 量測速度＜9 ...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa，樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射，可生長梯度材料。
超高真空磁控與離子束聯合濺射設備是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年3月1日啟用。技術指標 真空室尺寸 濺射室 φ560×300 離子束室 φ500×450 進樣室 φ250×400 極限真空 濺射室 6.6×10-6Pa 由大氣抽到極限真空所...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發，電子槍加熱蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2010年6月25日啟用。技術指標 ＜10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備，可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個（也可...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下，充入高純氬氣，採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺 射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），製備磁性薄膜。在...
離子濺射台 離子濺射台是一種用於物理學領域的分析儀器，於2016年06月30日啟用。技術指標 500mm(直徑) x 600mm(高) 的不鏽鋼內腔，具有前道打開的門和滿室。主要功能 磁控濺射台，用於高真空級別的渦輪或低溫泵。
旋轉磁場多用於大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對於小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），電漿和被濺零件/真空腔體可形成迴路。但若濺射絕緣體（如陶瓷...
