超高真空磁控與離子束聯合濺射設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年3月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空磁控與離子束聯合濺射設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2011年3月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
超高真空磁控與離子束聯合濺射設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年3月1日啟用。
超高真空磁控與離子束聯合濺射設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年3月1日啟用。技術指標真空室尺寸 濺射室 φ560×300 離子束室 φ500×450 進樣室 φ250×400 極限真空 濺射室 6.6×1...
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統真空撿漏率:≤5.0x10-7Pa/s; 3.系統漏率:停泵關機12h後,真空度≤9Pa。...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
高真空磁控濺射與離子束濺射複合鍍膜設備是一種用於物理學、地球科學、工程與技術科學基礎學科領域的物理性能測試儀器,於2008年12月8日啟用。技術指標 1. 真空泵:分子泵; 2. 樣品傳輸:手動真空環境傳輸; 3. 原位監控:流量監控、氣壓監控、濺射電學參數監控; 4. 濺射方式:射頻(RF),直流(DC)。主要功能...
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品...
超高真空磁控與離子束濺射聯合鍍膜系統 超高真空磁控與離子束濺射聯合鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年11月28日啟用。技術指標 包含有3個互相連線的獨立真空腔體,分別用於進樣、磁控濺射薄膜生長、以及離子束濺射薄膜生長。樣品可以在真空環境下在3個腔體之間自由傳送。主要功能 超高真空鍍膜。
超高真空磁控與離子束系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 系統極限真空: 磁控濺射室:達6.6*10^-5Pa 離子束濺射室:達6.6*10^-5Pa 系統抽速: 磁控濺射室:達6.6*10^-4Pa 離子束濺射室:達6.6*10^-4Pa 系統漏率: 磁控濺射室:≤1Pa 離子束濺射室:...
超真空磁控與離子束 超真空磁控與離子束是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2006年11月1日啟用。技術指標 本系統為立式結構的高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜設備。主要功能 教學與科研。
超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 系統極限真空:1×10-4 Pa RF射頻電源:500 W DC直流電源:500 W 加熱控溫電源:800 ℃。主要功能 本設備可用於開發納米級的單層及多層功能膜——各種硬質膜,金屬膜,半導體膜,介質膜,鐵磁膜等材料,...
磁控與離子束濺射台是一種用於物理學、材料科學、機械工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤6.67x10-6Pa (經烘烤除氣後); 進樣室極限真空度:≤6.67x10-4Pa (經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 達到極限真空短暫暴露大氣後...
磁控與離子束聯合測射儀是一種用於物理學、材料科學領域的計量儀器,於2005年01月01日啟用。技術指標 薄膜材料製備,包括金屬薄膜、半導體薄膜、絕緣體薄膜等。背底真空度為3×10-5Pa,襯底可加熱500℃,5個靶位,6個樣品位。主要功能 薄膜材料製備,包括金屬薄膜、半導體薄膜、絕緣體薄膜等。
離子束濺射室:: 濺射離子槍引出柵直徑Φ80mm,束流控制範圍0~150mA;輔助沉積離子槍引出柵直徑Φ60mm,束流控制範圍0~120mA;樣品最大尺寸Φ40mm接收濺射粒子沉積成膜。樣品可連續迴轉;樣品加熱最高加熱溫度800℃±1℃。主要功能 該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發...
高真空磁控與離子束衍射儀 高真空磁控與離子束衍射儀是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的天文儀器,於2005年10月31日啟用。技術指標 加鈦升華泵真空6.6×10^-6 Pa。主要功能 通過磁控濺射製備納米薄膜材料。
磁控與離子束濺射渡膜系統 磁控與離子束濺射渡膜系統是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年1月1日啟用。技術指標 450*400mm。主要功能 可鍍不同材質的晶圓片。
多功能離子束磁控濺射是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 真空室Φ800mm×H1000mm,配1套50kV中能離子源、兩套Φ80cm濺射離子源、一套Φ60cm低能清洗離子源、兩套三工位濺射轉靶、兩套Φ50cm磁控濺射靶、六工位自轉/公轉樣品台(含兩個水冷台、兩個加熱台、一個粉末台、一...
多靶磁控-離子束共濺射儀 多靶磁控-離子束共濺射儀是一種用於航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2012年5月14日啟用。技術指標 設備由LSR-1003雷射器、FBD-1340光纖驅動器、XRV-1216光學發射/接收器、TRV-1003三坐標移測架等組成。主要功能 產生雷射源供試驗用。
雙室磁控與離子束複合濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月10日啟用。技術指標 技術指標:主要用於濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜;極限真空:1E-6Torr(?30分鐘從?atm?抽到?1E-3 Torr?);薄膜均勻性:±5%?(?4英寸);靶源:靶源 φ...
離子濺射台 離子濺射台是一種用於物理學領域的分析儀器,於2016年06月30日啟用。技術指標 500mm(直徑) x 600mm(高) 的不鏽鋼內腔,具有前道打開的門和滿室。主要功能 磁控濺射台,用於高真空級別的渦輪或低溫泵。
5Kev連續可調 離子流密度:1-3mA/cm2 氣路系統 質量流量控制器3路 計算機控制系統 控制靶擋板、四工位轉靶換靶位、樣品公轉、樣品擋板、樣品控溫等。主要功能 系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉台、Kaufman離子槍、四工位轉靶、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機台等部分組成。
離子束輔助磁控濺射系統 離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標 兩個500W射頻靶 兩個500W直流靶 極限真空 1*10-6 Pa 陽極離子源一個。主要功能 沉積功能薄膜材料。
超高真空磁控離子束鍍膜裝置 超高真空磁控離子束鍍膜裝置是一種用於化學、材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標 薄膜樣品製備。主要功能 無機材料與金屬材料。
磁控離子束濺射雙室薄膜製備系統是一種用於材料科學、機械工程領域的計量儀器,於2013年10月11日啟用。技術指標 系統暴露大氣後5分鐘並充乾燥氮氣開始抽氣:離子束濺射室30分鐘可達到6.6x10-4Pa;離子束/控濺射室:系統停泵關機12小時後真空度:≤5Pa;1.600w全自動匹配射頻電源及匹配器2.數字式500w直流電源3....
本項目主要在“離子束輔助磁控濺射鍍膜設備”的平台上進行高溫塗層導體氧化物緩衝層的製備研究,摸索工藝參數並探索相關薄膜生長基礎問題,最終實現了從金屬基帶到超導層的全自主製備的完整塗層導體短樣並探測到了超導電流性能。項目中具體完成了如下工作: 1.引入“離子束輔助磁控濺射鍍膜設備”,與儀器廠商...
2XQ—1旋片式真空泵 獲機械工業部優質產品獎 DLK—800空心陰極離子鍍膜機 獲北京市儀器儀表工業總公司技術進步優秀獎 1984 空心陰極離子鍍膜機 獲北京市市經委技術進步優秀項目獎 JCKL半連續磁控濺射台 獲北京市市經委技術進步優秀項目獎 LSK—500離子束刻蝕機 獲機械工業部一等獎 2XZ—8高速旋片真空泵 獲機械工業...
MTS納米壓痕儀、射頻探針系統、LWS-500型雷射焊接系統、超高真空多功能磁控濺射系統、微波ECR電漿源離子注/滲系統、微摩擦磨損試驗機、ECR-電漿增強MOCVD系統 (ESPD-U)、射頻感應耦合電漿裝置、強流脈衝電子束裝置(低能電子炮)、Bulat-6 型多弧離子鍍膜設備、MEEV IV 80-10 金屬離子注入機等。
其中擁有包括H-800透射電子顯微鏡,掃描電子顯微鏡、射線衍射儀、雷射加工設備、X雷射粒度儀、真空感應熔煉爐、熱壓爐、FJL500超高真空磁控離子束聯合濺射儀等大型設備在內的實驗設備有480餘台,實驗設備總價值4500餘萬元。近年來,學校正逐步加大投入,進一步改善教學、實驗與科研條件,力爭在“十五”末使我院教學與科研...
2管)、快速熱處理設備、濕法清洗刻蝕台(12台套)、多靶磁控濺射系統(4台套)、超高真空磁控濺射系統、電子束蒸發設備(2套)、離子束濺射機、離子束刻蝕機、等離子增強化學氣相沉積設備、金屬反應離子刻蝕設備、介質反應離子刻蝕設備、深矽刻蝕系統(2套)、微電鑄/電鍍系統、OLED器件實驗製備系統、基片拋磨設備、...
中心現有科研場地面積3000㎡,擁有各類科研設備2800餘台套,總價值超過9000萬元,其中單台價值50萬元以上的設備33台套,總價值為4000餘萬元,包括具有自主智慧財產權的高通量離子束濺射組合材料晶片製備系統、電子束蒸發組合材料晶片高通量製備系統、高通量磁控濺射組合材料晶片製備系統等材料基因組工程專用實驗裝備10餘台,...
承擔和參加項目:973,科學院創新,國家和省基金委,省重大等;實驗室建設: 超高真空多靶磁控與離子束濺射和原位光學性能測試系統;穩態和瞬態螢光光譜儀;橢偏儀。科研成果 迄今已在Adv. Mater.,Nanolett.,Chem. Mater.,Adv. Func. Mater., Nanoscale,Appl. Phys. Lett.等刊物上發表學術論文近200篇;已獲...
濺射法 濺射法:可分為磁控濺射和離子束濺射,其優點是能夠以較低的成本製備工業套用的大面積薄膜; 制膜不僅可使用陶瓷靶材,也可在氧氣氛中使用金屬或合金的靶材進行反應濺射獲得所需薄膜。其缺點是,在濺射過程中各組元的揮發性差別很大,膜的成分和靶的成分有較大的偏差,而且偏差的大小隨工藝條件而異,這使...