磁控與離子束濺射台

磁控與離子束濺射台是一種用於物理學、材料科學、機械工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年12月13日啟用。

基本介紹

• 中文名：磁控與離子束濺射台
• 產地：中國
• 學科領域：物理學、材料科學、機械工程、電子與通信技術
• 啟用日期：2013年12月13日
• 所屬類別：工藝試驗儀器

技術指標

濺射室極限真空度：≤6.67x10-6Pa (經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67x10-4Pa (經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 達到極限真空短暫暴露大氣後開始抽氣：濺射室4-5小時後能抽到5X10-5Pa； DC、RF、DCpuls濺射； 射頻離子束，Mark I離子束濺射。

主要功能

真空薄膜沉積。