離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年1月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:離子束輔助磁控濺射系統
- 產地:中國
- 學科領域:工程與技術科學基礎學科
- 啟用日期:2011年1月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
兩個500W射頻靶 兩個500W直流靶 極限真空 1*10-6 Pa 陽極離子源一個。
主要功能
沉積功能薄膜材料。
離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年1月1日啟用。
離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標兩個500W射頻靶 兩個500W直流靶 極限真空 1*10-6 Pa 陽極離子源一個。1主要功能沉積功能薄膜材料...
×1、 濺射離子源(聚焦束考夫曼源) 加速能量0.5k~3KeV 束流0~150mA 氣流量:0~10sccm 最大離子束流密度:15mA/㎝2 工作真空1~2×10-2Pa 出口束徑≥Φ80㎜ 中和方式為燈絲中和 離子能量和束流獨立連續可調。 2、 輔助...
《離子束輔助磁控濺射法在IBAD-MgO基礎上製備CeO2的機理研究》是依託清華大學,由魏俊俊擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 離子束輔助沉積MgO(IBAD-MgO)具有製備速度快,織構強的特點,目前已成為製備YBCO塗層導體緩衝層的重要...
這樣,一方面,濺射出來的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜,另一方面,電漿以一定的能量轟擊基體,起到離子束輔助沉積的作用,大大的改善了膜層的質量。非平衡磁控濺射 1985 年,Window 和Savvides [5, 6]首先引入了非平衡磁控濺射...