超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2006年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2006年12月1日
超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2006年12月1日啟用。
超高真空多對靶磁控與離子束濺射鍍膜系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標系統極限真空:1×10-4 Pa RF射頻電源:500 W DC直流電源:500 W 加熱控溫電源:800 ℃。1...
超高真空磁控與離子束濺射聯合鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年11月28日啟用。技術指標 包含有3個互相連線的獨立真空腔體,分別用於進樣、磁控濺射薄膜生長、以及離子束濺射薄膜生長。樣品可以在真空環境下在3個腔體...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個(也可...
3.每隻磁控濺射靶均配備擋板,基片配擋板。4.極限真空:5*10-5Pa;工作背景真空:7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6.基片可加熱至500℃.7.控制系統:PC+PLC全自動控制。主要功能 磁濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機,用於各種單層膜...