磁控與離子束輔助沉積是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年10月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:磁控與離子束輔助沉積
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2006年10月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
磁控與離子束輔助沉積是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年10月26日啟用。
磁控與離子束輔助沉積是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年10月26日啟用。技術指標型號 FJL-560 真空室尺寸 Ф550x450mm 真空系統配置 複合分子泵、機械泵、閘板閥 極限壓力 ≤6.6...
《離子束輔助磁控濺射法在IBAD-MgO基礎上製備CeO2的機理研究》是依託清華大學,由魏俊俊擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 離子束輔助沉積MgO(IBAD-MgO)具有製備速度快,織構強的特點,目前已成為製備YBCO塗層導體緩衝層的重要發展方向。而CeO2由於其與YBCO具有很好的晶格匹配,被認為是最佳的...
非平衡磁控濺射的出現部分克服了以上缺點,將陰極靶面的電漿引到濺射靶前200~300 mm 的範圍內,使基體沉浸在電漿中,如圖所示。這樣,一方面,濺射出來的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜,另一方面,電漿以一定的能量轟擊基體,起到離子束輔助沉積的作用,大大的改善了膜層的質量。非平衡磁控濺射 1985 ...
磁控濺射室: 採用離子束濺射室:濺射離子槍引出柵直徑Φ80mm,束流控制範圍0~150mA;輔助沉積離子槍引出柵直徑Φ60mm,束流控制範圍0~120mA;樣品最大尺寸Φ40mm接收濺射粒子沉積成膜。樣品可連續迴轉;樣品加熱最高加熱溫度800℃±1℃。 進樣室: 可放置6片(Φ40)樣品,可上下升降,可對樣品基片加熱至850˚C。
離子束濺射室:: 濺射離子槍引出柵直徑Φ80mm,束流控制範圍0~150mA;輔助沉積離子槍引出柵直徑Φ60mm,束流控制範圍0~120mA;樣品最大尺寸Φ40mm接收濺射粒子沉積成膜。樣品可連續迴轉;樣品加熱最高加熱溫度800℃±1℃。主要功能 該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發...
離子束輔助磁控濺射系統 離子束輔助磁控濺射系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2011年1月1日啟用。技術指標 兩個500W射頻靶 兩個500W直流靶 極限真空 1*10-6 Pa 陽極離子源一個。主要功能 沉積功能薄膜材料。
引進技術的發明專利權人魏榮華博士系美國西南研究院電漿技術和表面工程處理的首席科學家,其主要研究領域為:電漿材料表面工程,薄膜科學與工程,物理氣象沉積,電漿輔助化學氣象沉積,全方位電漿注入,離子束輔助鍍膜,材料科學及工程,電漿滲氮-滲碳,摩擦磨損學。主編一本專著,5章專業著作論文,兩個...
由脈衝雷射沉積技術的原理、特點可知,它是一種極具發展潛力的薄膜製備技術。隨著輔助設備和工藝的進一步最佳化,將在半導體薄膜、超晶格、超導、生物塗層等功能薄膜的製備方面發揮重要的作用;並能加快薄膜生長機理的研究和提高薄膜的套用水平,加速材料科學和凝聚態物理學的研究進程。同時也為新型薄膜的製備提供了一種行之...
離子束與固體相互作用物理學的創始人之一、丹麥著名物理學家Sigmund教授於2000年對我們的研究工作進行了正面評述,他認為:是我們首次考慮了靶原子內殼層電子對分子離子能量損失的貢獻。全方位離子注入技術及電漿輔助沉積技術 解決了高真空下磁控濺射的技術難題,實現了完全同步的全方位離子注入增強沉積,設計研製出我國...
常見硬質與超硬塗層的製備方法,包括真空蒸鍍、磁控濺射、離子鍍、離 子束輔助沉積、分子束外延製備塗層的基本原理和常見的實驗裝置;一些常見的金屬氮化物、碳化物、硼化物及氧化物等硬質塗層和金剛石、類金剛石、立方氮化硼、氮化碳、硼碳氮、納米多層結構和納米晶複合塗層等 超硬塗層的結構、性能和製備工藝;硬質...
用高能雷射束射向石墨靶面,蒸發出的碳原子在脈衝電流作用下產生電弧,形成的離子轟擊基體並沉積成膜。雷射電弧法的沉積速度高,膜的含氫量低。化學氣相沉積(CVD)化學氣相沉積的主要方法有金屬有機化學氣相沉積(MOCVD),電漿輔助化學氣相沉積和雷射化學氣相沉積(LCVD)等,而套用最廣的主要是電漿輔助化學氣相...
3.12 磁控濺射離子鍍 4 真空等離子增強化學氣相沉積技術 4.1 概述 4.2 電漿增強CVD(PECVD)技術 4.3 直流電漿化學氣相沉積 4.4 射頻電漿化學氣相沉積 4.5 微波電漿CVD沉積(MPCVD)4.6 雷射化學氣相沉積(LCVD)4.7 金屬有機化合物CVD沉積(MOCVD) 5 離子注入與離子輔助沉積技術 5.1 ...
英國及公司採用全封閉非平衡磁控濺射製備出了高硬度碳膜專利一鍍層閱研究表明一以砂結構為主, 在與鋼鐵材料摩擦時未出現“ 觸媒效應” 且硬度適中、摩擦係數小、比磨損率較低一個數量級, 具有極其優越的摩擦學性能碳膜的結構和性能很大程度上與其製備工藝有關方法便於控制輔助轟擊參數以改變鍍層的結構, 磁控濺射沉積...
這些年來,儘管光學薄膜製備技術得到長足發展,但是真空熱蒸發依然是最主要的沉積手段,當然熱蒸發技術本身也隨著科學技術的發展“與時俱進”。在光學薄膜發展的過程中,各種先進的薄膜製備技術不斷充實到光學薄膜製備的行列中來,其中包括離子束濺射技術,離子鍍技術,離子輔助沉積技術,磁控濺射技術,分子束外延技術,...
博士後期間,清華大學套用超導研究中心,作為主要負責人建成了離子束輔助沉積(IBAD)鍍膜實驗室,並完成了一套大型IBAD設備的安裝和調試。在北京理工大學物理學院建成了紫外曝光實驗室(光刻超淨間),正在建真空鍍膜(磁控濺射和IBAD)實驗室。現主持國家自然科學基金一項,教育部博士點基金(新教師類)一項,參與自然...
由於這些硬質膜是化合物膜或碳氮化硼的特殊結構,需利用熱能和電漿能量提高沉積粒子的能量。製備原理 製備硬質膜的技術有化學氣相沉積(CVD))法、電漿化學氣相沉積( PCVD )法、磁控濺射法、輝光放電離子鍍法、弧光放電離子鍍法、離子束輔助沉積法等。缺點 CVD的缺點也是十分明顯的:沉積溫度高,限制了可用來...
高真空複合鍍膜設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年07月30日啟用。技術指標 系統極限真空 主要功能 具有磁控濺射、離子束濺射、離子束輔助沉積與清洗功能。可用於製備各種金屬膜 、半導體膜、介質膜以及鐵電薄膜、各類光學膜(如軟X射線光學膜)、磁記錄薄膜和各種硬質薄膜。該設備不但可製備金屬多層...
第4章 低溫沉積透明導電膜技術研究進展 4.1 離子束輔助直流磁控濺射低溫沉積I,rO薄膜的研究 4.1.1 技術研究背景 4.1.2 ITO透明導電薄膜低溫製備的研究進展 4.1.3 ITO薄膜的低溫製備研究 4.2 氧化鈦光電薄膜的低溫製備技術 4.2.1 技術研究背景 4.2.2 氧化鈦光電薄膜的研究進展和發展現狀 4.2.3 氧化鈦...
3.2.5 脈衝雷射沉積(PLD) 53 3.2.6 真空蒸發(VE) 53 3.2.7 電子束蒸發(E-beam evaporation) 54 3.2.8 離子束輔助沉積(IBAD) 55 3.2.9 濺射法 55 3.3 濺射鍍膜的基本原理 56 3.3.1 輝光放電和濺射機理 56 3.3.2 濺射特性 58 3.3.3 濺射過程 59 3.3.4 射頻磁控反應濺射技術 61 3...
所以最近的研究工作集中在從源頭出發合成體材料FeSi2非晶(甩帶)和非晶FeSi2薄膜(磁控濺射或離子束輔助沉積),對比研究非晶FeSi2薄膜中非晶相和光電性能,以此來評價非晶FeSi2薄膜的套用價值。其次,利用團簇線判據選擇C、Ge等對體材料和薄膜進行合金化,研究合金化對非晶形成能力和光電性能的影響,尋找提高非晶...
近年來一直從事真空電漿納米功能薄膜、超硬薄膜塗層、離子束改性、材料表面與界面、稀土磁性材料及巨磁電阻薄膜材料等方面的研究與教學。1)真空電漿納米超硬薄膜及離子束表面改性 系統掌握了用直流磁控/射頻濺射鍍、多弧離子鍍、離子束輔助增強沉積、高能離子注入等方法設計併合成具有特殊界面微結構的人工超晶格...
本項目主要研究了脈衝反應磁控濺射沉積氮化鋁薄膜條件,離子束輔助濺射沉積合成氮化鋁薄膜條件,Mo電極上沉積AlN壓電薄膜結構。主要參數有電阻率(Ω•m):R=10^11~10^13;擊穿強度(V/μm):640;介電常數:ε=10.5;熱導率(W/K•cm):2;c-軸和a-軸方向晶格常數(nm):c=0.498,a=0.311;c-...
5.8.2活性反應離子鍍膜裝置228 5.8.3空心陰極放電離子鍍膜裝置230 5.8.4射頻放電離子鍍膜裝置233 5.8.5磁控濺射離子鍍膜裝置233 5.8.6真空陰極電弧離子鍍膜裝置236 5.8.7冷電弧陰極離子鍍膜裝置244 5.8.8熱陰極強流電弧離子鍍膜裝置245 參考文獻246 第6章離子束沉積與離子束輔助沉積247 6.1離子束沉積...
3.2.2合金的濺射和沉積 3.3濺射沉積裝置 3.3.1直流濺射 3.3.2射頻濺射 3.3.3磁控濺射 3.3.4反應濺射 3.3.5偏壓濺射 3.4其他物理氣相沉積方法 3.4.1離子鍍 3.4.2反應蒸發沉積 3.4.3離子束輔助沉積 3.4.4離化原子團束沉積 4薄膜的化學氣相沉積 4.1化學氣相沉積所涉及的化學反應類型 4.1.1熱解反應 4.1.2還原反...
682活性反應離子鍍裝置 683空心陰極放電離子鍍膜裝置 684射頻放電離子鍍裝置 685磁控濺射離子鍍膜裝置 686真空陰極電弧離子鍍膜裝置 687冷電弧陰極離子鍍膜裝置 688熱陰極強流電弧離子鍍裝置 參考文獻 第7章離子束沉積與離子束輔助沉積 71離子束沉積技術 711離子束...
7.2.2 氣體-金屬混合(TITAN)離子源離子注入機 7.2.3 等離子源離子注入機 7.2.4 離子束輔助沉積系統 7.2.5 離子注入的工藝參數 7.3 離子注入技術在工模具中的套用 第8章 工模具的物理氣相沉積 8.1 濺射塗層 8.1.1 濺射鍍膜的原理及分類 8.1.2 磁控濺射技術 8.2 離子鍍技術 8.2...
4.3.2 離子鍍過程中的離子轟擊效應 4.4 離子鍍中基片負偏壓的影響 4.5 等離子鍍的離化率與離子能量 4.5.1 離化率 4.5.2 中性粒子和離子的能量 4.5.3 膜層表面的能量活化係數 4.6 離子鍍膜工藝及其參數選擇 ……5 真空卷繞鍍膜 6 化學氣相沉積CVD技術 7 離子注入與離子輔助沉積技術 8 ITO...
本書作者結合自己多年在塗層領域的研究與套用成果,對硬質塗層與超硬塗層進行了全面的介紹:硬質與超硬塗層的定義、分類、研究現狀及塗層的特殊性;常見硬質與超硬塗層的製備方法,包括真空蒸鍍、磁控濺射、離子鍍、離子束輔助沉積、分子束外延製備塗層的基本原理和常見的實驗裝置;一些常見的金屬氮化物、碳化物、硼化物...
7.1.5 離子鍍的蒸發源203 7.2 幾種典型的離子鍍方式204 7.2.1 活性反應蒸鍍(ARE)204 7.2.2 空心陰極放電離子鍍206 7.2.3 多弧離子鍍208 7.3 離子束沉積210 7.3.1 離子束沉積的原理210 7.3.2 直接引出式和質量分離式212 7.3.3 離化團束沉積215 7.3.4 離子束輔助沉積219 7.4 離子束...
加工設備:紫外曝光解析度優於0.5微米的真空接觸式雙面掩膜對準系統(MA6);電子束曝光解析度優於10納米、對準和拼接精度優於20納米的電子束直寫系統(EBL);離子束刻蝕解析度優於10納米、可輔助沉積或刻蝕、原位納米操縱與測量的雙束聚焦離子束系統(FIB);以及面積3英寸、解析度優於20納米的納米壓印系統。刻蝕...