氧化鋁和氧化鋁薄膜製備與表徵實例

氧化鋁和氧化鋁薄膜製備與表徵實例

《氧化鋁和氧化鋁薄膜製備與表徵實例》是2015年6月冶金工業出版社出版的圖書,作者是趙祥敏,趙文海,本書介紹了AlN和ZnO兩種薄膜材料,並詳細探討了以AlN為過渡層對ZnO薄膜的影響。

基本介紹

  • 中文名:氧化鋁和氧化鋁薄膜製備與表徵實例
  • 作者:趙祥敏、趙文海
  • 出版社:冶金工業出版社
  • ISBN:9787502469177
內容簡介,圖書目錄,作者簡介,

內容簡介

本書以實例的形式,介紹了用磁控濺射法製備氧化鋅(ZnO)薄膜、氮化鋁(AlN)薄膜和ZnO/AlN複合膜的詳細工藝和性能表征。全書共分8章,第1章主要介紹ZnO的晶體結構、能帶結構、性能與套用;第2章主要介紹AlN的晶體結構、能帶結構、性能與套用;第3章主要介紹ZnO和AlN薄膜的常用製備方法及性能表征手段;第4~6章分別介紹了AlN薄膜、ZnO薄膜、ZnO/AlN複合膜的製備方法與性能表征;第7章主要介紹不同濺射時間下AlN緩衝層對ZnO薄膜的影響;第8章主要介紹退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響。

圖書目錄

第1章 ZnO概述 6
1.1 引言 6
1.2 ZnO的晶體結構 7
1.3 ZnO的結構形態 8
1.3.1 ZnO體單晶 8
1.3.2 ZnO薄膜 8
1.3.3 ZnO納米結構 8
1.4 ZnO的能帶結構 9
1.5 ZnO的基本性質 9
1.5.1 ZnO的電學性質 10
1.5.2 ZnO的光學性質 10
1.5.3 ZnO的其特性 11
1.6 ZnO薄膜的套用 11
1.6.1 聲表面波器件 12
1.6.2 紫外光電探測器 13
1.6.3 肖特基紫外探測器 13
1.6.4 稀磁半導體 14
1.6.5 發光器件 14
1.6.6 氣敏感測器 14
1.6.7 壓敏器件 15
1.6.8 透明電極 15
1.6.9 緩衝層 15
1.6.10 ZnO基LED 16
1.7 ZnO的本徵缺陷 17
1.7.1 ZnO的本徵點缺陷 18
1.7.2 ZnO薄膜的能級 18
1.8 ZnO的摻雜 19
1.8.1控制本徵缺陷製備p型ZnO 19
1.8.2 I族元素單一受主摻雜 20
1.8.3 IB族元素單一受主摻雜 21
1.8.4 V族元素單一受主摻雜 21
1.8.5 受主-施主共摻雜 23
1.8.6 雙受主共摻雜 23
1.8.7 稀土摻雜 23
參考文獻 24
第2章 AlN概述 34
2.1 引言 34
2.2 AlN的晶體結構 34
2.3 AlN的能帶結構 35
2.4 AlN的特性 36
2.4.1 硬度 36
2.4.2 化學穩定性 36
2.4.3 熱穩定性 37
2.4.4 電學性能 37
2.4.5 光學性能 37
2.5 A1N薄膜的套用 38
2.5.1 聲表面波器件 38
2.5.2 發光材料 39
2.5.3 濾波器、諧振器 39
2.5.4 生物感測器 40
2.5.5 能量蒐集器 40
2.5.6 紫外探測器 41
2.5.7 緩衝層 41
2.5.8 SOI材料的絕緣埋層 42
2.5.9 單色冷陰極材料 42
2.5.10 刀具塗層 42
2.5.11 作為磁光記錄材料表面的增透膜 42
參考文獻 43
第3章 ZnO和AlN薄膜的常用製備方法及性能表征手段 50
3.1 引言 50
3.2 ZnO和AlN薄膜常用的製備方法 51
3.2.1 超聲噴霧熱分解(USP) 51
3.2.2 溶膠-凝膠(sol-gel) 51
3.2.3 分子束外延(MBE) 52
3.2.4 金屬有機物氣相沉積(MOCVD) 52
3.2.5 脈衝雷射沉積(PLD) 53
3.2.6 真空蒸發(VE) 53
3.2.7 電子束蒸發(E-beam evaporation) 54
3.2.8 離子束輔助沉積(IBAD) 55
3.2.9 濺射法 55
3.3 濺射鍍膜的基本原理 56
3.3.1 輝光放電和濺射機理 56
3.3.2 濺射特性 58
3.3.3 濺射過程 59
3.3.4 射頻磁控反應濺射技術 61
3.4 多靶磁控濺射技術 65
3.5 實驗設備 65
3.5.1多靶磁控濺射儀 65
3.5.2 高真空燒結爐 66
3.6 ZnO和AlN薄膜常用的性能表征手段 66
3.6.1 X射線衍射分析(XRD) 67
3.6.2原子力顯微鏡(AFM) 69
3.6.3 霍爾效應測試(Hall) 71
3.6.4 掃描電子顯微鏡(SEM) 72
3.6.5 紫外分光光度計 73
3.6.6 螢光分光光度計(PL) 74
3.6.7 拉曼光譜儀 75
3.6.8 電子探針顯微分析(EPMA) 76
參考文獻 77
第4章 AlN薄膜的製備與性能表征 79
4.1引言 79
4.2過渡層概述 79
4.3 AlN薄膜的製備 80
4.3.1 實驗裝置 80
4.3.2 襯底的預處理 81
4.3.3 樣品製備工藝參數 81
4.3.4 製備AlN薄膜的實驗步驟 81
4.4工藝參數對AlN薄膜性能的影響 82
4.4.1 襯底溫度對AlN薄膜性能的影響 82
4.4.2 工作氣壓對AlN薄膜性能的影響 83
4.4.3 濺射功率對AlN薄膜性能的影響 84
4.5 AlN薄膜性能表征的分析總結 85
參考文獻 86
第5章 ZnO薄膜的製備與性能表征 87
5.1引言 87
5.2 ZnO薄膜的製備 87
5.2.1 實驗裝置 87
5.2.2 襯底的預處理 87
5.2.3 樣品製備工藝參數 88
5.2.4 製備ZnO薄膜的實驗步驟 88
5.3工藝參數對ZnO薄膜性能的影響 89
5.3.1 襯底溫度對ZnO薄膜性能的影響 89
5.3.2 工作氣壓對ZnO薄膜性能的影響 90
5.3.3 濺射功率對ZnO薄膜性能的影響 91
5.4 ZnO薄膜性能表征的分析總結 92
參考文獻 92
第6章 ZnO/AlN複合膜的製備與性能表征 93
6.1引言 93
6.2 ZnO/AlN複合薄膜的製備 93
6.2.1 實驗裝置 93
6.2.2 襯底的預處理 93
6.2.3 樣品製備工藝參數 94
6.2.4 製備ZnO/AlN複合膜的實驗步驟 94
6.3 ZnO/AlN複合膜與ZnO單層膜的對比 95
6.3.1 ZnO/AlN複合膜與ZnO單層膜XRD測試對比 95
6.3.2 ZnO/AlN複合膜與ZnO單層膜原子力顯微鏡測試對比 96
6.3.3 ZnO/AlN複合膜與ZnO單層膜電學參數及導電類型對比 97
6.4 ZnO/AlN複合膜與ZnO單層膜的對比分析總結 98
參考文獻 98
第7章 不同濺射時間下AlN緩衝層對ZnO薄膜的影響 99
7.1引言 99
7.2 AlN薄膜、ZnO/AlN複合薄膜的製備 99
7.2.1 實驗裝置 99
7.2.2 襯底的預處理 99
7.2.3 樣品製備工藝參數 100
7.2.4 製備AlN薄膜和ZnO/AlN複合膜的實驗步驟 100
7.3不同濺射時間下AlN緩衝層對ZnO薄膜的影響 101
7.3.1 表面形貌分析 101
7.3.2 XRD測試分析 102
7.3.3 霍爾測試分析 103
7.4 不同濺射時間下AlN緩衝層對ZnO薄膜的影響分析總結 104
參考文獻 104
第8章 退火溫度對N摻雜ZnO薄膜結構和電學性能的影響 106
8.1 引言 106
8.2 退火處理模型 106
8.3 N摻雜ZnO薄膜的製備 108
8.3.1 實驗裝置 108
8.3.2 襯底的預處理 108
8.3.3 樣品製備工藝參數 108
8.3.4 製備N摻雜ZnO薄膜的實驗步驟 109
8.4 退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響 109
8.4.1 XRD測試分析 109
8.4.2 表面形貌分析 111
8.4.3 霍爾測試分析 112
8.5 退火溫度對N摻雜ZnO薄膜的影響分析總結 113
參考文獻 113

作者簡介

趙祥敏,女,1979年2月出生,就職於牡丹江師範學院工學院,主要講授電子技術基礎、數字電路實驗、模擬電路實驗、信息技術和C語言程式設計、近代物理實驗等課程,教學效果良好。工作期間共發表論文6篇,其中EI檢索1篇,中文核心期刊2篇;出版教材2部;主持校級教改項目1項,參與科研和教改項目10餘項;發明實用經濟型專利3個;獲牡丹江市第二十四屆自然科學技術學術成果獎二等獎1項,獲2012~2014年度牡丹江市自然科學技術學術成果獎一等獎1項,獲牡丹江市優秀教育科研成果獎一等獎1項,獲第十二屆全國多媒體課件一等獎1項,獲牡丹江師範學院優秀教案獎1項,獲牡丹江師範學院教師課件大賽優秀獎2項。

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