高真空多靶磁控濺射鍍膜設備

高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2008年9月26日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空多靶磁控濺射鍍膜設備
• 產地：中國
• 學科領域：電子與通信技術
• 啟用日期：2008年9月26日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

極限真空：2×10-5Pa，4靶。

主要功能

用於製備各種磁性金屬合金薄膜，採用共聚焦、基底旋轉濺射方式，能夠製備150×150mm各種合金薄膜。