多靶磁控濺射設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於1999年7月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：多靶磁控濺射設備
- 產地：中國
- 學科領域：物理學
- 啟用日期：1999年7月1日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
4靶位，直流/射頻磁控濺射。
主要功能
用於高質量薄膜濺射生長。
多靶磁控濺射設備
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