磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2013年02月18日啟用。
基本介紹
- 中文名:磁控濺射設備
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2013年02月18日
- 所屬類別:物理性能測試儀器 > 力學性能測試儀器
磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2013年02月18日啟用。
磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2013年02月18日啟用。技術指標直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料,不適於絕緣材料,因為轟擊...
高頻磁控濺射設備 高頻磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年5月19日啟用。技術指標 <1*10-4Pa。主要功能 本底真空可達1×10-4Pa,可進行大面積沉積鍍膜。
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器,於2015年12月16日啟用。技術指標 圓柱型304不鏽鋼腔室,配有頂蓋與底蓋,名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高,配有1個觀察窗,並配有觀察窗擋板,前級泵採用抽速6.8cfm的油潤滑機械...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:...
多靶磁控濺射設備 多靶磁控濺射設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於1999年7月1日啟用。技術指標 4靶位,直流/射頻磁控濺射。主要功能 用於高質量薄膜濺射生長。
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空...
高磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月09日啟用。技術指標 主體內部尺寸Φ460mm�H1300mm,真空度好於2�10-4Pa,安裝鍺靶和鉍靶尺寸約為60mm�1100mm,鍍膜有效區位900mm。主要功能 專為引力常數G...
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa?
超高真空磁控濺射設備是一種用於材料科學、能源科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月11日啟用。技術指標 1、系統真空指標:磁控濺射室:經48小時連續烘烤(150℃),優於6.0×10-6Pa;樣品室:經12...
全自動磁控濺射鍍膜設備 全自動磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年1月1日啟用。技術指標 極限真空度6.7E-5Pa;樣品最高加熱溫度300度。主要功能 用於納米或微米級金屬薄膜的製備。
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金...
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; ...
超高真空多靶磁控濺射台 超高真空多靶磁控濺射台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2004年12月1日啟用。技術指標 極限真空:8×10-6Pa,6靶。主要功能 製備磁性單層膜、多層模。
因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能製備絕緣體膜,而且磁控電極中採用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕,導致靶材利用率低,一般僅為20%-30%。磁控濺射設備的主要用途 (1)各種功能性薄膜:如...
可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗,配備加熱系統可以將抽真空速度加快,本底真空降低;可使用雙/三靶濺射製備摻雜薄膜,較非摻雜薄膜性質變多,性能不同,更利於發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高,開/關機配備...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源:襯底預先清洗輔助沉積;磁控濺射沉積:射頻(RF),直流(DC);靜態濺射,共濺射,反應濺射,線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜...
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統...
7、濺射模式分動態和靜態兩種。主要功能 德國Singlus磁控濺射沉積系統是一台族群式濺射設備,可完成8寸薄膜濺射沉積過程,實現小批量生產,功能包括表面刻蝕、多材料物理氣相沉積、自然氧化和真空退火功能,整個過程由CTC族群式控制器控制。
高通量磁控濺射鍍膜設備 高通量磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 極限真空6.7*10-5Pa,磁控濺射/離子束高通量鍍膜。主要功能 無機金屬薄膜的製作,無機介質薄膜的製作。
雙室超高真空多功能磁控濺射設備 雙室超高真空多功能磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標 10-5Pa。主要功能 物理沉積薄膜。
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器(PLC)+觸控螢幕(HMI)組合電器控制系統。主要功能 使用直流(或中頻)磁控濺射,可廣泛用於各類鍍膜靶材。
多功能離子束磁控濺射是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 真空室Φ800mm×H1000mm,配1套50kV中能離子源、兩套Φ80cm濺射離子源、一套Φ60cm低能清洗離子源、兩套三工位濺射轉靶、兩套Φ50cm磁控...
二次金屬化磁控濺射鍍膜機 二次金屬化磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年8月21日啟用。技術指標 空載極限真空<8*10-5Pa/公轉速度0-20rpm可調。主要功能 大功率脈衝氙燈研製。
三靶磁控濺射鍍膜機 三靶磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年7月1日啟用。技術指標 壓強、功率。主要功能 矽基薄膜材料。