高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年1月30日啟用。
基本介紹
- 中文名：高真空平面靶磁控濺射鍍膜系統
- 產地：中國
- 學科領域：化學、材料科學
- 啟用日期：2015年1月30日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 化工、製藥工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
（1） 樣品台採用PLC電路控制，樣品台可以水平移動的同時還可以自轉，水平運動速度為10－50 mm/分往復運動，連續可調;自轉的轉速在0～20轉/分範圍內連續可調，在停止轉動時基片回零。靶與基片之間距離50-100毫米內連續可調。 （2） 系統共有四支矩形磁控靶，其中有兩支靶為平面靶，靶基距150 mm，升降可調，升降最大時靶基距最小距離為50mm;另兩支靶為折靶結構，此兩靶可以同時上下升降，還可以在0-90度範圍內連續可調，在調整角度過程時，靶之間的距離必須保證可以調節，靶面間距最小距離為20～40mm;折靶與直靶之間要加禁止以保證靶材不被相互污染。要求每支靶有獨立的冷卻系統，保證冷卻效果良好。 （3） 烘烤方式為內烘烤電阻式加熱方式，真空室可內烘烤150～300℃，抽氣90分鐘後，真空室真空度可達到5×10－4Pa。基片樣品在濺射過程中應該加熱基片溫度為400±1℃，靜止加熱基片最高溫度800±1℃，必須保證小車能往復、正常行進。
主要功能
薄膜材料。
