鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年12月17日啟用。
基本介紹
- 中文名:鍍膜設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2010年12月17日
鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年12月17日啟用。
鍍膜設備 鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年12月17日啟用。技術指標 樣品顆粒粒度:3μm~100μm。主要功能 能夠在微顆粒表面沉積各種金屬薄膜(包括磁性金屬膜)、金屬氧化物薄膜、金屬氮化物薄膜及合金薄膜,且所鍍薄膜緻密、均勻、純度高、附著力強等。
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源:分子泵一台(抽速1200升/秒),直聯旋片式真空泵一台(抽速9升/秒),乾式真空泵一台(抽速8升/秒);2、真空閥門:CCQ-200型電磁氣動插板閥一個,高真空電磁氣動隔斷閥3個,壓差閥2個,其他...
鍍膜機 鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年7月25日啟用。技術指標 極限真空:8.0×10-5Pa, 基片台尺寸Φ200mm 可鍍空間Φ300mm×H300mm 可鍍空間Φ500mm×H600mm。主要功能 鍍薄膜。
《柔性基底真空鍍膜設備》是米亞索樂裝備集成(福建)有限公司於2017年12月6日申請的專利,該專利的公布號為CN207525334U,授權公布日為2018年6月22日,發明人是孫紅霞、周陽、江湖、胡超、舒毅、朱朋建、陳凡、潘登、龍巍。《柔性基底真空鍍膜設備》包括連線在一起的真空鍍膜腔室(1)和過渡腔室(2),二者通過...
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇,其中重點、系統地介紹了...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
高能球磨製粉設備蒸發鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年7月21日啟用。技術指標 1 適用於乾法和濕法球磨,容積100L,連續球磨時間1-100h,具有自動進/出料功能,進出料時間小於5min,密封使用時間>1500h,密封性好,安全性高,有防爆功能 2 真空度優於8.0×10-5Pa,抽速從大氣抽至10-5...
高真空鍍膜設備 高真空鍍膜設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2015年12月15日啟用。技術指標 手套箱內氣體純度:O21ppm, H2O1ppm;真空腔內的極限真空度:9´10-7mbar;沉積速率解析度:0.01埃/秒;沉積厚度解析度:1埃/秒;共蒸源:2個;。主要功能 高真空鍍膜,功能薄膜,材料表面改性等。
多弧離子鍍膜機是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月15日啟用。技術指標 真空室尺寸:單室,ø1000*1000mm2,有效鍍膜空間:ø600*600mm2 抽真空時間:<15min(室溫空真空室從大氣壓抽到4.0*10-3Pa) 極限壓力:3.0×10-4Pa 工作真空度:10~1.0×10-1...
工件架(自轉 水冷):設備配有自轉電動工件盤,一次性放置最大不超過150*150mm樣品一片。配有單轉軸空心磁流體密封,樣品台水冷。高扭矩電機和控制器,轉速0~30RPM可調。主要功能 系統可鍍鍍制各種介質膜、光學膜、透明導電膜、鐵電薄膜等如:各種金屬鈦、鉑、金等、常見氧化物、Si, Al2O3, TiO2, SiO2,氧化...
最大Φ100mm(4英寸)1片。主要功能 可製備包括各種金屬、半導體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷等物質的最薄可達納米層厚的薄膜,其操作簡便,穩定性好。是我院多個課題組的急需的關鍵設備之一。除滿足我院相關課題組納米薄與納米多層膜製備的需要外,還可滿足我校相關院所納米薄膜與納米多層膜製備的需求。
原子層沉積ALD鍍膜設備是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器,於2014年12月18日啟用。技術指標 襯底尺寸:4-12英寸(可兼容156*156 mm,200 *200 mm襯底) 襯底溫度:室溫-400度(含水冷),控制精度:±1℃ 真空腔:316不鏽鋼腔體 前驅體輸送系統:4-6路(可選配液源、固源和氣源) 沉積模式:快速模式、高...
光學鍍膜機 光學鍍膜機是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年5月1日啟用。技術指標 膜層控制精度:正負1nm;最大光學元件尺寸:Φ700mm;光譜均勻性:正負1%。主要功能 實現多層光學薄膜的精確製備。
熱蒸發真空鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年3月15日啟用。技術指標 1、機片尺寸為10*10毫米;2、基片(樣品)加熱溫度為300度;3、漏率小於10e-7pa;4、極限真空5*10e-4pa;5、從大氣抽氣6。6*10e-6pa。主要功能 在真空條件下,利用電子槍蒸發和電阻蒸發及磁控濺射夾來完成鍍膜工作...
磁控離子束複合鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年10月9日啟用。技術指標 極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在≤30分鐘內,離子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控濺射室: 採用四靶豎直向上濺射成膜或三...
電子束蒸發鍍膜設備是一種用於數學領域的分析儀器,於2017年3月1日啟用。技術指標 真空室極限真空度≤8E-5Pa,從大氣抽至1E-3Pa時間≤40min,漏率≤2E-10AtmCC/Sec。電子槍:最大加速功率10KW,最大電流1A;偏轉角270度。電子束位置調節範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子束掃描範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子...
控溫精度為±5℃,基板溫度均勻性達到±10℃.具有過熱保護裝置(硬體或者軟體鎖)。極限真空優於2×10-5pa。15分鐘內能夠從常壓抽到真空度不低於1×10-4pa;腔室氣體泄漏速率小於7×10-6pa/秒。系統控制軟體可對整個設備進行監控。主要功能 用電弧放電方式使靶材蒸發並沉積於基片上的真空物理鍍膜設備。
可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射;4、基片可以加熱(800℃)、冷卻(水冷);5、全自動控制;6、18英寸主濺射室;7、高真空泵抽系統;8、超高真空磁控濺射靶;直流/射頻電源;9、4英寸樣品台;10、PhaseII-J控制系統。主要功能 納米磁性薄膜製備設備,可以製備納米磁性薄膜,能加熱,共五個靶位。
真空電子束鍍膜機是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2018年3月6日啟用。技術指標 極限真空度:2.0×10-6Pa; 陽極電壓:6KV;束流範圍:0-750mA;啟動真空度:6.7×10-3Pa。主要功能 採用E型電子槍聚焦蒸發方式鍍膜。適用於鍍制納米結構的金屬膜、半導體膜、磁性膜、介質膜等,...
磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2008年10月15日啟用。技術指標 抽真空速度(空載):大氣到6.6×10^-4Pa在35分鐘內,極限真空度(空載):系統經烘烤後連續抽氣,真空度≤6.6×10-5Pa,樣品加熱溫度:室溫到400℃可調,系統漏率:停泵關機12小時後真空度≤5Pa。主要功能 材料鍍膜...
連續鍍膜設備 連續鍍膜設備(continuous coating plant)是2013年公布的機械工程名詞。定義 被鍍膜物件(單件或帶材)連續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室,再經過相應的壓力梯段,繼續離開設備的鍍膜設備。出處 《機械工程名詞 第五分冊》第一版。
半自動電子束鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年07月15日啟用。技術指標 極限真空:抽真空5小時後,可達 Pa;恢復真空:從 Pa至 Pa 約15min;烘烤溫度:最高溫度350℃;工件架旋轉:轉速5~25rpm可調。主要功能 主要用於多層光學薄膜的實驗製備。採用觸控螢幕和可程式控制器(PLC),配合...
半自動磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年4月15日啟用。技術指標 極限真空:濺射室極限真空度≤6.6×10-5Pa (濕度≤55%)進樣室極限真空度≤1.0×10-1Pa,漏氣速率:≤10-9Pa?L/sec; 系統抽速:通過進樣室送樣後抽至8×10-4Pa≤10分鐘,可局部加溫,工件盤可旋轉...
真空熱蒸發鍍膜設備 真空熱蒸發鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年12月4日啟用。技術指標 真空室極限真空度達5*10-5Pa,漏率為關機12小時小於5Pa。主要功能 真空冶煉。
高真空鍍膜機 高真空鍍膜機是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器,於2013年01月09日啟用。技術指標 腔體內有八個源用來置放不同的材料,並且一次可以對四個樣品進行蒸鍍,同時配置兩個電流源加熱材料,實際蒸鍍時真空可以達到10-7torr。主要功能 具有有機材料熱蒸發沉積和金屬材料熱蒸發沉積成膜功能。
高真空蒸發鍍膜機是一種用於物理學、化學、材料科學領域的儀器,於2012年03月16日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成。配置:全自動計算機控制蒸發源、膜厚、樣品台和真空度;計算機控制樣品和擋板轉動;4個有機源、2...