原子層沉積ALD鍍膜設備是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器，於2014年12月18日啟用。
基本介紹
- 中文名：原子層沉積ALD鍍膜設備
- 產地：中國
- 學科領域：化學、材料科學
- 啟用日期：2014年12月18日
- 所屬類別：分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
襯底尺寸：4-12英寸(可兼容156*156 mm，200 *200 mm襯底) 襯底溫度：室溫-400度(含水冷)，控制精度：±1℃ 真空腔：316不鏽鋼腔體 前驅體輸送系統：4-6路(可選配液源、固源和氣源) 沉積模式：快速模式、高縱深比模式和專業摻雜模式。
主要功能
原子層沉積技術（AtomicLayer Deposition, ALD），基於原子層沉積過程的自限制反應過程，所鍍上的膜可以達到單層原子的厚度，因為原子層沉積工藝在每個周期內精確地沉積一個原子層，所以能夠在納米尺度上對沉積工藝進行完全控制，操作過程簡易。與目前的其他鍍膜方法相比，具有沉積溫度低，精確控制膜厚、薄膜結合強度好、逐層沉積膜層厚度一致、成分均勻性好等優越性，是先進的納米表面處理技術。原子層沉積設備已套用於半導體積體電路產業，給半導體工程，微機電系統和其他納米技術套用提供了廣闊的套用平台。/。
