原子層沉積設備

原子層沉積設備是一種用於力學、物理學、材料科學領域的儀器，於2012年06月01日啟用。

基本介紹

• 中文名：原子層沉積設備
• 產地：芬蘭
• 學科領域：力學、物理學、材料科學
• 啟用日期：2012年06月01日

技術指標

熱ALD沉積Al2O3薄膜厚度均勻性：襯底：4英寸矽片；測試方法：9點；指標：Al2O3：300°C,500次循環，厚度 TMA+H2O； 原子層沉積（ALD）的自限制性和互補性致使該技術對薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力；所製備的薄膜保形性好、純度高且均勻。

主要功能

功能：沉積參數（厚度，成份和結構）高度可控，優異的沉積均勻性和一致性。 套用範圍： （1）半導體領域（電晶體柵極電介質層（高k材料）），光電元件的塗層，積體電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質層，積體電路中嵌入電容器的電介質層， （2）納米技術領域（中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，，納米晶體，納米結構，中空納米碗，存儲矽量子點塗層，納米顆粒的塗層，納米孔內部的塗層，納米線的塗層）。 （3）可沉積材料類型，金屬氧化物ZnO，TiO2， Al2O3，SnO2，金屬Pt， Ir等。