電漿原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年09月28日啟用。
電漿原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年09月28日啟用。技術指標基片加熱溫度 室溫~400℃ 前驅體管路溫度 室溫～200℃ 源瓶加熱溫度 室溫～200℃ 本底真空 5x10-3Torr...
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器，於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級，誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
電漿增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器，於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年05月30日啟用。技術指標 反應腔腔壁加熱溫度應不低於300℃；反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求，基底加熱溫度可達500℃...
在原子層沉積系統有國際品牌和自主品牌兩類。在國外品牌以劍橋（cambridge)最為悠久，全球銷售量幾百台。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在高端ALD領域投入大量研發工作，通過原子層沉積來製備薄膜，由於 ALD 沉積系統價格昂貴，而望而卻步。...
本書是面向研究生和從事材料研發等相關行業的科研人員系統介紹原子層沉積技術原理及其套用的一本專業書籍，共13章。包括原子層沉積的發展歷史、原理、前驅體、沉積材料及其理論計算與模擬等基礎內容，又著重論述電漿增強原子層沉積和分子...
主要功能 升級原子層沉積系統（ALD）、擴展其電漿增強ALD功能；使通過系統的反應氣體在電場作用下達到電漿狀態，產生化學活潑的激發態分子、原子、離子和原子團等，促進化學反應，加快薄膜在基底上的生長速度。
本項目擬在原子層沉積系統內進行化學氣相反應合成石墨烯薄膜的實驗，利用其特有源物質的快速切換和清洗系統，在原子層面控制石墨烯的生長過程，抑制多層石墨生長，達到生長連續單層石墨烯薄膜的目的。此外，嘗試套用電漿輔助沉積等手段進一步...
5000LS電子束光刻系統和解析度15nm的JEOL JBX-6300FS電子束光刻系統,解析度350nm的MEBES 4700電子束製版系統和JBX-6AII電子束製版系統、光學製版系統、高密度電漿刻蝕機、電子束鍍膜系統、高溫PECVD、原子層沉積系統ALD、光學曝光機等...
刻蝕設備：反應離子刻蝕機（RIE）；感應耦合電漿刻蝕系統(ICP)；等離子去膠機(PS)；生長設備：原子層沉積系統(ALD)；熱蒸發(TE)；電子束蒸發(EB)；磁控濺射(MS)；化學氣相沉積（CVD）薄膜生長系統；以及電漿增強化學氣相沉積...
綜合物性測量系統、多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統，以及高真空脈衝雷射沉積系統（PLD）、原子層沉積系統（ALD）、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠...
工程中心成功研製出電漿紡織前處理設備、KE-320型高亮度LED圖形化襯底刻蝕系統、KMT-200A&KMP-200B原子層沉積系統、電漿低溫滅菌櫃、ICP-98C型高密度電漿刻蝕機、PIII-ICP08A電漿浸沒式離子注入機、電漿化驗單滅菌...
基於疊層鈍化和電鍍技術的超高效晶矽異質結太陽電池》；2012年中科院知識創新工程項目《多晶薄膜晶化機制及太陽電池結構設計技術研究》；2012年中科院科研裝備研製項目《電漿增強化學氣相沉積/原子層沉積一體化光電轉換材料製備系統》。
