原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年05月30日啟用。
原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年05月30日啟用。技術指標反應腔腔壁加熱溫度應不低於300℃；反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求，基底加熱...
在原子層沉積系統有國際品牌和自主品牌兩類。在國外品牌以劍橋（cambridge)最為悠久，全球銷售量幾百台。其次以芬蘭的BENEQ和picosun，在高端ALD領域投入大量研發工作，通過原子層沉積來製備薄膜，由於 ALD 沉積系統價格昂貴，而望而卻步。歐洲Anric 致力於以低廉的成本在小尺寸桌面型（4~6英寸以內）上沉積出優秀的薄膜...
原子層澱積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2016年12月21日啟用。技術指標 晶片尺寸：2-6”, 50-150 mm (8’’ = 200 mm on request)；工藝溫度 ： Up to 500°C；前驅體 ：2-6 氣體 / 氣體 / 固體；尺寸：27.6 x 41.3 x 36.4’’, 70 x 105 x 92.5 cm (W x H ...
電漿原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年09月28日啟用。技術指標 基片加熱溫度 室溫~400℃ 前驅體管路溫度 室溫～200℃ 源瓶加熱溫度 室溫～200℃ 本底真空 5x10-3Torr 載氣系統 N2或者Ar 控制系統 PLC+觸控螢幕或者顯示器 電源 50-60Hz，220V/20A交流電源 設備尺寸 600mm x 600...
台式三維原子層沉積系統 台式三維原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2015年6月8日啟用。技術指標 400℃以下，原子級別薄膜沉積。主要功能 薄膜製備。
等離子增強型原子層沉積系統 等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2O3、TiO2、La2O3、HfO2、AlN、ZrO等薄膜材料。
電漿輔助原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 10min內真空達到5E-3Torr；30nm鍍膜非均勻度＜3%。主要功能 本設備具有大面積、高階梯覆蓋率、高厚度均勻性、低溫製程及原子級膜厚控制等優點，可以適用於超薄高介電材料鍍膜研究、半導體納米製程技術研究、材料高覆蓋率、...
雙腔型等離子增強原子層沉積系統 雙腔型等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器，於2017年6月29日啟用。技術指標 由熱型和等離子反應腔組成的的兩個獨立的真空反應腔室組成。主要功能 常見氧化物，氮化物以及貴金屬單質薄膜的沉積。
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器，於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級，誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
《面向柔性電子製造的空間隔離原子層沉積系統基礎研究》是依託華中科技大學，由陳蓉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 原子層沉積（ALD）薄膜製造方法因其優良的均勻一致性和厚度可控性，在柔性電子器件的封裝層、功能層等具有突出表現和潛在套用。近年迅速發展的空間隔離原子層沉積（SALD）方法可以進一步滿足柔性電子大...
高級型原子層沉積系統 高級型原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的儀器，於2017年11月21日啟用。技術指標 380v，lishi。主要功能 測量用。
電漿增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器，於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
非真空式原子層沉積設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2017年04月05日啟用。技術指標 1.設備外觀尺寸：1850L×1100W×1800H（mm） 2.生長過程：原子層沉積（Atmospheric ALD Deposition Forming Al2O3 ）3.工作壓強：大氣（760±20 Torr） 4.工作氣體：TMA, H2O,N2 5.系統配置 5.1 TMA inlet: 1 ...
原子層沉積ALD鍍膜設備是一種用於化學、材料科學領域的分析儀器，於2014年12月18日啟用。技術指標 襯底尺寸：4-12英寸(可兼容156*156 mm，200 *200 mm襯底) 襯底溫度：室溫-400度(含水冷)，控制精度：±1℃ 真空腔：316不鏽鋼腔體 前驅體輸送系統：4-6路(可選配液源、固源和氣源) 沉積模式：快速模式、高...
本項目擬在原子層沉積系統內進行化學氣相反應合成石墨烯薄膜的實驗，利用其特有源物質的快速切換和清洗系統，在原子層面控制石墨烯的生長過程，抑制多層石墨生長，達到生長連續單層石墨烯薄膜的目的。此外，嘗試套用電漿輔助沉積等手段進一步最佳化澱積反應工藝，達到降低生長溫度的目的。本項目通過原子層沉積石墨烯薄膜的...
等離子加強原子層沉積 等離子加強原子層沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的科學儀器，於2017年10月17日啟用。技術指標 FIJI F200。主要功能 等離子加強原子層沉積系統。
原子層沉積器是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器，於2009年7月1日啟用。技術指標 1. 具有4路前驅體源，其中1路不加熱，另3路加熱溫度≥200 ℃。 2. 樣品基底最大直徑4英寸。 3. 最大沉積溫度不高於300 ℃。 4.設備使用氮氣做載氣，控制載氣流量10-1000 sccm。主要功能 該原子沉積系統主要用於實驗室...
製備光子晶體二維波狀結構薄膜。研究用原子層沉積技術製備的光學薄膜的抗雷射損傷能力，探索用該方法製備抗強雷射薄膜的可能性。項目的研究工作將拓寬光學薄膜的製備技術，在大面積，複雜形貌元件如光學微機電系統等方面有重要的套用前景。所以，該研究既具有強的前瞻性、創新性，又具有重要的科學意義和套用前景。
56MHz、最大功率300W且可調節；電漿反應腔、手動Loadlock單元部件適用於8英寸及以下尺寸基底。主要功能 升級原子層沉積系統（ALD）、擴展其電漿增強ALD功能；使通過系統的反應氣體在電場作用下達到電漿狀態，產生化學活潑的激發態分子、原子、離子和原子團等，促進化學反應，加快薄膜在基底上的生長速度。
致力於高端科研儀器裝備的自主研製和開發，帶領團隊從共性技術和核心關鍵部件著手，開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件，並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套，包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。完成的系統多台已...
刻蝕設備：反應離子刻蝕機（RIE）；感應耦合電漿刻蝕系統(ICP)；等離子去膠機(PS)；生長設備：原子層沉積系統(ALD)；熱蒸發(TE)；電子束蒸發(EB)；磁控濺射(MS)；化學氣相沉積（CVD）薄膜生長系統；以及電漿增強化學氣相沉積系統（PECVD）。測量設備：掃描探針顯微鏡(AFM)；雙探針掃描電鏡原位測量系統(DB-...
多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統，以及高真空脈衝雷射沉積系統（PLD）、原子層沉積系統（ALD）、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠－凝膠（Sol-Gel）系統、雙面光刻機、感應耦合電漿刻蝕機等材料和器件的製備系統，依託單位...
