等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2015年08月28日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子增強原子層沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年08月28日
等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2015年08月28日啟用。
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級,誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
電漿增強原子層沉積系統 電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。技術指標 Savannah G2 s200。主要功能 測量用。
電漿增強型原子層澱積系統 電漿增強型原子層澱積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2015年12月11日啟用。技術指標 反應腔:24cm/8/加熱溫度:25-400℃。主要功能 等離子態分析。
等離子加強原子層沉積 等離子加強原子層沉積是一種用於信息科學與系統科學領域的科學儀器,於2017年10月17日啟用。技術指標 FIJI F200。主要功能 等離子加強原子層沉積系統。
雙腔型等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器,於2017年6月29日啟用。技術指標 由熱型和等離子反應腔組成的的兩個獨立的真空反應腔室組成。主要功能 常見氧化物,氮化物以及貴金屬單質薄膜的沉積。
等離子體增強化學氣相沉積是:在化學氣相沉積中,激發氣體,使其產生低溫電漿,增強反應物質的化學活性,從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置於陰極上,通入反應氣體至較低氣壓(1...
本書是面向研究生和從事材料研發等相關行業的科研人員系統介紹原子層沉積技術原理及其套用的一本專業書籍,共13章。包括原子層沉積的發展歷史、原理、前驅體、沉積材料及其理論計算與模擬等基礎內容,又著重論述等離子體增強原子層沉積和分子...
《原子層組裝非晶氧化物半導體柔性TFT及可靠性研究》是依託復旦大學,由丁士進擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目面向低功耗高性能柔性電子系統的套用,開展基於非晶氧化物半導體(AOS)溝道的柔性薄膜電晶體(TFT)的研究。擬採用與...
獲得具有神經突觸功能的元器件是架構認知型計算系統的基礎,而憶阻器是最有可能實現該功能的新型記憶器件。本課題擬在現有工作基礎上,採用等離子體增強原子層沉積技術(ALD)與射頻輔助高溫化學氣相沉積(CVD)工藝相結合,製備Pt/TiLixOy/石墨...
在探明Hf基介質與金屬柵界面作用基礎上,採用等離子體增強原子層沉積與離子注入技術,製備金屬/Hf基介質/SiO2/Si柵堆疊結構,開展HfMxOy/金屬柵界面控制及有效功函式調製機理研究(M指摻雜元素)。通過金屬/金屬氮化物雙金屬柵極,利用遠程...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合等離子體刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
綜合物性測量系統、多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、等離子體增強化學氣相沉積系統、溶膠...