《TiLixOy/石墨烯/SiC功函式調製及憶阻行為可控性研究》是依託北京航空航天大學，由王玫擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：TiLixOy/石墨烯/SiC功函式調製及憶阻行為可控性研究
- 依託單位：北京航空航天大學
- 項目負責人：王玫
- 項目類別：面上項目
- 批准號：11574017
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2016-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：73（萬元）
項目摘要
獲得具有神經突觸功能的元器件是架構認知型計算系統的基礎，而憶阻器是最有可能實現該功能的新型記憶器件。本課題擬在現有工作基礎上，採用電漿增強原子層沉積技術(ALD)與射頻輔助高溫化學氣相沉積(CVD)工藝相結合，製備Pt/TiLixOy/石墨烯/SiC堆疊結構，開展其界面調製及憶阻行為可控性研究。選擇與腦突觸/神經元之間信息交換離子屬性類似的Li離子作為載流子，利用ALD製備Li離子摻雜的TiO2薄膜(TiLixOy)，調控Li離子在TiLixOy薄膜中濃度及分布。通過射頻輔助高溫CVD系統在SiC襯底上外延生長高熱導率/電導率石墨烯作為界面層，調節界面勢壘及Pt/TiLixOy/石墨烯/SiC堆疊結構功函式，消除界面熱效應對憶阻行為的影響，最佳化電形成過程與可控性，探討離子型憶阻器記憶行為的調控機理。該研究對於開發類人腦智慧型器件，推動認知系統研究與信息技術發展具有重要意義。
