電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:電漿增強原子層沉積系統
- 產地:美國
- 學科領域:信息科學與系統科學、物理學
- 啟用日期:2017年10月24日
- 所屬類別:分析儀器 > 光譜儀器
電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。
電漿增強原子層沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的分析儀器,於2017年10月24日啟用。技術指標Savannah G2 s200。1主要功能測量用。1...
等離子增強型原子層沉積系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月22日啟用。技術指標 原位檢測膜厚 原位質譜檢測 紅外光譜分析。主要功能 製備高溫超導用塗層、氧化物介電薄膜及氮化物薄膜材料等。如Al2...
等離子增強原子層沉積系統 等離子增強原子層沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2015年08月28日啟用。技術指標 膜厚納米級,誤差小於正負1%。主要功能 等離子增強原子層沉積系統。
電漿增強型原子層澱積系統 電漿增強型原子層澱積系統是一種用於電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2015年12月11日啟用。技術指標 反應腔:24cm/8/加熱溫度:25-400℃。主要功能 等離子態分析。
電漿原子層沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年09月28日啟用。技術指標 基片加熱溫度 室溫~400℃ 前驅體管路溫度 室溫~200℃ 源瓶加熱溫度 室溫~200℃ 本底真空 5x10-3Torr 載氣系統 N2或者Ar 控制系統 ...
原子層沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年05月30日啟用。技術指標 反應腔腔壁加熱溫度應不低於300℃;反應腔能夠適應在8英寸及以下尺寸平面基底上沉積薄膜材料且對基底形狀沒有嚴格要求,基底加熱溫度可達500℃...
本書是面向研究生和從事材料研發等相關行業的科研人員系統介紹原子層沉積技術原理及其套用的一本專業書籍,共13章。包括原子層沉積的發展歷史、原理、前驅體、沉積材料及其理論計算與模擬等基礎內容,又著重論述電漿增強原子層沉積和分子...
《原子層組裝非晶氧化物半導體柔性TFT及可靠性研究》是依託復旦大學,由丁士進擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目面向低功耗高性能柔性電子系統的套用,開展基於非晶氧化物半導體(AOS)溝道的柔性薄膜電晶體(TFT)的研究。擬採用與...
其藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離以產生電漿,通過電漿與基片表面的反應,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。以採取射頻方式產生電漿的電漿處理裝置為例,其包括處理腔體、抽真空系統、反應氣體供應系統、電極,...
電漿輔助類金剛石薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年11月19日啟用。技術指標 上電極為鋁製電極由13.56MHz射頻源驅動,噴淋頭直徑218mm,溫度控制在200°C到400°C。主要功能 用於在直徑2吋到8吋的單個晶圓上...
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綜合物性測量系統、多功能原子力顯微鏡、變溫探針台、鐵電測試儀、介電頻譜儀等光電子學測試系統,以及高真空脈衝雷射沉積系統(PLD)、原子層沉積系統(ALD)、高性能納米材料製備系統、電子束蒸發設備、電漿增強化學氣相沉積系統、溶膠...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
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高效導電銀漿(銀粉)製備及設備、電池電漿增強化學的氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)和等離子氧化及等離子輔助原位摻雜(POPAID)生產技術及裝備、電池和組件的檢測設備研發,支持智慧型運維系統及跟蹤支架、風光儲充系統的開發套用。