真空鍍膜設備

真空鍍膜設備

真空鍍膜設備，主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。

基本介紹

書籍,內容簡介,圖書目錄,鍍膜材料,簡介,使用步驟,適用範圍,維護和保養,

書籍

內容簡介

《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇，其中重點、系統地介紹了磁控濺射靶的設計計算和濺射鍍膜的膜厚均勻性設計。全書共分13章，主要講解真空鍍膜室結構、鍍膜室工件架、真空鍍膜機的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機的抽氣系統、真空室電和運動的導入結構、濺射鍍膜設備的充布氣系統、蒸發源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設計與計算。
《真空鍍膜設備》有很強的實用性，適合真空鍍膜設備的設計製造、真空鍍膜設備的套用等與真空鍍膜技術有關的行業從事設計、設備操作與維護的技術人員使用，還可用作高等院校相關專業師生的教材及參考書。

圖書目錄

1 真空鍍膜設備設計概述
2 真空鍍膜室結構設計計算
2.1 基本設計原則
2.1 2鍍膜室的材料選擇與焊接要求
2.2.1 材料選擇
2.2.2 焊接要求
2.3 鍍膜室壁厚的計算
2.3.1 鍍膜室的計算壁厚
2.3.2 鍍膜室的實際壁厚與壁厚附加量
2.3.3 鍍膜室的最小壁厚
2.4 圓筒形鍍膜室殼體的設計計算
2.4.1 圓筒形鍍膜室基本設計參數
2.4.2 圓筒形鍍膜室的強度(壁厚)計算
2.4.3 外壓圓筒加強圈的設計
2.4.4 簡體加工允許偏差
2.4.5 鍍膜室封頭的壁厚計算
2.5 圓錐形殼體的設計
2.6 盒形殼體設計
2.7 壓力試驗
2.8 真空鍍膜室門設計
2.9 真空鍍膜室的冷卻
3 鍍膜室升降機構的設計
3.1 立式鍍膜機真空室的升降機構
3.1.1 機械升降機構
3.1.2 液壓升降機構
3.1.3 氣動液壓相結合的升降機構
3.2 真空室的復位
4 鍍膜室工件架的設計
4.1 常用工件架
4.1.1 球面行星傳動工件架
4.1.2 摩擦傳動工件架
4.1.3 齒輪傳動工件架
4.1.4 撥桿傳動工件架
4.2 工件架的轉速
5 真空鍍膜機的加熱與測溫裝置
5.1 加熱方式及其裝置
5.2 測溫方式與裝置
5.3 真空室內引線設計
6 真空鍍膜機的擋板機構
7 真空鍍膜機的抽氣系統設計
7.1 鍍膜設備用真空系統
7.1.1 普通鍍膜設備用典型高真空系統
7.1.2 超高真空系統
7.2 真空鍍膜機抽氣系統的設計
7.2.1 真空鍍膜設備對抽氣系統的要求
7.2.2 鍍膜機抽氣系統的放氣量計算
7.2.3 真空泵的選擇
8 真空室內電和運動的導人導出結構設計
8.1 電導人導出結構設計
8.1.1 電導入導出結構設計要求
8.1.2 電導入導出部件的結構形式
8.2 運動導入導出結構設計
8.2.1 常規轉軸動密封導入導出結構
8.2.2 磁流體動密封運動導入導出結構
8.2.3 金屬波紋管密封柔性運動導入導出結構
8.2.4 磁力驅動動密封運動導入導出結構
9 充布氣系統設計
9.1 充布氣系統設計原則
9.2 充布氣系統結構設計
9.2.1 充布氣系統類型及結構
9.2.2 布氣管路結構形式
9.2.3 充布氣管路分析計算
9.3 充氣控制方式設計
9.3.1 封閉式氣壓穩定充氣控制
9.3.2 質量流量控制器充氣控制
9.4 真空室內充大氣時間計算
10 電磁禁止結構設計
10.1 真空鍍膜設備禁止概述
10.2 電磁輻射禁止設計
11 蒸發源的設計計算
11.1 電阻加熱式蒸發源的熱計算
11.2 e型槍蒸發源的設計計算
11.2.1 燈絲參數計算
11.2.2 磁偏轉線圈及燈絲位置的確定
11.2.3 膜材蒸發時所需熱量
11.2.4 e型槍蒸發源的水冷卻
11.2.5 e型槍蒸發源的電源
11.2.6 多槍蒸發源的設計安裝
11.3 感應加熱式蒸發源的結構設計
11.3.1 坩堝設計
11.3.2 電源及其頻率的選擇
11.4 蒸發源的蒸發特性及膜厚分布
11.4.1 點蒸發源的膜厚分布
11.4.2 小平面蒸發源膜厚分布
11.4.3 環形蒸發源
11.4.4 矩形平面蒸發源
11.4.5 蒸發源與基片的相對位置
12 磁控濺射靶的設計
12.1 靶磁場的設計原則
12.1.1 磁場強度的選擇
12.1.2 磁場均勻性：
12.1.3 矩形靶彎道磁場設計
12.1.4 磁場設計改進方法
12.2 磁控靶的磁場設計計算
12.2.1 三維直角坐標系中的靶磁場
12.2.2 矩形平面磁控濺射靶的磁場
12.2.3 圓形平面磁控濺射靶的磁場計算
12.2.4 同軸圓柱磁環濺射靶的磁場計算
12.2.5 同軸圓柱條形磁體濺射靶的磁場計算
12.2.6 S槍濺射靶的磁場計算
12.3 平面磁控靶結構改進
12.3.1 運動磁場的靶結構
12.3.2 雙環組合磁極靶結構
12.3.3 組合磁場靶結構
12.3.4 磁場分流靶結構
12.3.5 其他磁體形式的靶結構
12.4 永磁體及導磁片設計
12.4.1 永磁體材料
12.4.2 導磁墊片
12.5 陽極與禁止罩的設計
12.5.1 陽極設計
12.5.2 禁止罩設計
12.6 濺射靶水冷系統的設計與計算
12.6.1 冷卻水流速率的計算
12.6.2 冷卻水管內徑的計算
12.6.3 冷卻水管長度
12.7 靶材的設計選擇
12.7.1 靶材的種類
12.7.2 靶材的選用原則
12.7.3 對靶材的技術要求
12.7.4 靶材與陰極背板的連線
12.7.5 常用靶材
12.8 磁控濺射靶設計方法
12.8.1 靶設計分析方法
12.8.2 磁控靶設計程式
13 濺射鍍膜的膜厚均勻性設計
13.1 濺射鍍膜不均勻性的原因及影響因素
……

鍍膜材料

簡介

Vacuum coating equipment
真空鍍膜設備主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對於濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能雷射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。

使用步驟

一、電控櫃的操作
1. 開水泵、氣源
2. 開總電源
3. 開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小於10後，再進入下一步操作。約需5分鐘。
離子鍍膜設備+所鍍產品圖離子鍍膜設備+所鍍產品圖
4. 開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小於2為止，約需20分鐘。
5. 觀察渦輪分子泵讀數到達250以後，關予抽，開前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度後才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以後才能開電子槍電源。
二、DEF-6B電子槍電源櫃的操作
1. 總電源
2. 同時開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時開關，延時、電源及保護燈亮，三分鐘後延時及保護燈滅，若後門未關好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。
3. 開高壓，高壓會達到10KV以上，調節束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉電流在1~1.7之間擺動。
三、關機順序
1. 關高真空表頭、關分子泵。
2. 待分子泵顯示到50時，依次關高閥、前級、機械泵，這期間約需40分鐘。
3. 到50以下時，再關維持泵。

適用範圍

1．建築五金：衛浴五金（如水龍頭）．門鎖．門拉手．衛浴、門鎖、五金合葉、家具等
磁控鍍膜設備+所鍍產品圖磁控鍍膜設備+所鍍產品圖
2．制表業：可用於表殼．錶帶的鍍膜、水晶製品
3．其它小五金：皮革五金．不鏽鋼餐具．眼鏡框、刀具、模具等．
4．大型工件：汽車輪轂、不鏽鋼板．招牌．雕塑等
5、不鏽鋼管和板（各種類型表面）
6、家具、燈具、賓館用具
7、鎖具、拉手、衛浴五金、高爾夫球頭、不鏽鋼餐具、器血等五金製品鍍超硬裝飾膜。
8、手錶、錶帶、眼鏡、首飾等裝飾品鍍超耐磨裝飾（金銀）納米膜和納米膜和納米疊層膜。

維護和保養

1、真空鍍膜設備每完成200個鍍膜程式以上，應清潔工作室一次。方法是：用燒鹼（NaOH）飽和溶液反覆擦洗真空室內壁，（ 注意人體皮膚不可以直接接觸燒鹼溶液，以免灼傷）目的是使鍍上去的膜料鋁（AL）與NaOH發生反應，反應後膜層脫落，並釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內的污垢。
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2、當粗抽泵（滑閥泵，旋片泵）連續工作一個月（雨季減半），需更換新油。方法是：擰開放油螺栓，放掉舊油，再將泵啟動數秒，使泵內的舊油完全排放出來。擰回放油螺栓，加入新油至額定量（油視鏡觀察）。連續使用半年以上，換油時應將油蓋打開，用布擦乾淨箱內污垢。
3、擴散泵連續使用6個月以上，抽速明顯變慢，或操作失當，充入大氣，拆去聯結水管，卸下電爐盤，將一級噴嘴擰出，先用汽油將泵腔及泵膽清洗一遍，再用洗衣粉兌水清洗一遍，然後用清水徹底清洗乾淨，待水份揮發乾以後，裝好泵膽，加入新擴散泵油，並裝回機體，接好水管，裝好電爐盤，便可以重新開機。在重新開機前，要注意檢漏工作。方法是：啟動維持泵，關好大門，數分鐘後，觀察擴散泵部分真空度是否達到6X10帕，否則要進行檢漏。檢查聯接處是否裝密封膠圈，或壓壞密封圈。排除漏氣隱患後方可加熱，否則擴散泵油會燒環，無法進入工作狀態。
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