物理氣相沉積鍍膜機

物理氣相沉積鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年09月26日啟用。

基本介紹

• 中文名：物理氣相沉積鍍膜機
• 產地：日本
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2011年09月26日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

玻璃基片尺寸：200mm×200mm.用高質量材料製造設備，廠家對關鍵部件使用的材料等級進行說明。利用傳遞裝置，能夠準確的在基片裝載腔室（預處理腔室）和濺射鍍膜腔室之間往返傳遞基片；有適當尺寸的觀察窗，便於觀察操作過程。基板溫度要求能夠控制在室溫至350℃之間任何溫度，控溫精度為±5℃，基板溫度均勻性達到±10℃.具有過熱保護裝置（硬體或者軟體鎖）。極限真空優於2×10-5pa。15分鐘內能夠從常壓抽到真空度不低於1×10-4pa；腔室氣體泄漏速率小於7×10-6pa/秒。系統控制軟體可對整個設備進行監控。

主要功能

用電弧放電方式使靶材蒸發並沉積於基片上的真空物理鍍膜設備。