高真空鍍膜設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月15日啟用。
高真空鍍膜設備是一種用於化學領域的工藝試驗儀器，於2015年12月15日啟用。技術指標 手套箱內氣體純度：O21ppm, H2O1ppm；真空腔內的極限真空度：9´10-7mbar;沉積速率解析度：0.01埃/秒；沉積厚度解析度：1埃/秒；共蒸源：2個...
高真空鍍膜機是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器，於2013年01月09日啟用。技術指標 腔體內有八個源用來置放不同的材料，並且一次可以對四個樣品進行蒸鍍，同時配置兩個電流源加熱材料，實際蒸鍍時真空可以達到10-7torr。主要...
高真空複合鍍膜設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年07月30日啟用。技術指標 系統極限真空 主要功能 具有磁控濺射、離子束濺射、離子束輔助沉積與清洗功能。可用於製備各種金屬膜 、半導體膜、介質膜以及鐵電薄膜、各類...
真空鍍膜設備，主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的...
超高真空鍍膜機 超高真空鍍膜機是一種用於數學領域的分析儀器，於2005年10月1日啟用。技術指標 本底真空度：優於1.0×10-10Torr，最高加熱溫度：800 ℃。主要功能 製備高質量超薄金屬薄膜，如0.3nm厚的鈷。
高真空雙室鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2007年7月1日啟用。技術指標 1. 極限真空1×10-5pa; 2. 工作真空5×10-4pa,恢復工作真空時間30～40分鐘(充氮氣); 3. 基片原位退頭(～800℃...
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器，於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔（反濺腔、濺射腔、氧化腔） 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa，能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
① 檢查真空鍍膜機各操作控制開關是否在"關"位置。② 打開總電源開關，設備送電。③ 低壓閥拉出。開充氣閥，聽不到氣流聲後，啟動升鐘罩閥，鐘罩升起。④ 安裝固定鎢螺旋加熱子。把PVDF薄膜和鋁蓋板固定在轉動圓盤上。把鋁絲穿放在...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
高真空磁控濺射與離子束濺射複合鍍膜設備是一種用於物理學、地球科學、工程與技術科學基礎學科領域的物理性能測試儀器，於2008年12月8日啟用。技術指標 1. 真空泵：分子泵； 2. 樣品傳輸：手動真空環境傳輸； 3. 原位監控：流量監控、...
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa，樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射，可生長梯度材料。
超高真空磁控離子束鍍膜裝置 超高真空磁控離子束鍍膜裝置是一種用於化學、材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器，於2007年1月1日啟用。技術指標 薄膜樣品製備。主要功能 無機材料與金屬材料。
本設備有兩個不同用途的蒸發頭：分別是蒸金屬盒蒸碳。注意：使用碳棒蒸發頭時，一個電極線連線儀器後面的黑色孔，一個電極線連線紅色孔；使用金屬蒸發頭時，一個電極線連線儀器後面的黑色孔，一個電極線連線綠色孔。操作規則 蒸鍍金屬...
工件架（自轉 水冷）：設備配有自轉電動工件盤，一次性放置最大不超過150*150mm樣品一片。配有單轉軸空心磁流體密封，樣品台水冷。高扭矩電機和控制器，轉速0~30RPM可調。主要功能 系統可鍍鍍制各種介質膜、光學膜、透明導電膜、鐵電...
箱式真空鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年12月30日啟用。技術指標 配有JEOL的180度電子槍和進口的CRTM－6000型的晶控儀；控制部分的元件採用美國INFICON公司的監測設備；傘架採用了四片式設計。主要功能 適用於光學...
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2007年5月9日啟用。技術指標 系統極限真空：濺射室：系統經烘烤，可達1×10-5Pa（7.5×10-8Toor）； 進樣室：經烘烤可達7×10-4Pa（5.2×10-6Toor）。
