高真空雙室鍍膜設備

高真空雙室鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2007年7月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空雙室鍍膜設備
• 產地：中國
• 學科領域：物理學、材料科學、能源科學技術
• 啟用日期：2007年7月1日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備

技術指標

1. 極限真空1×10-5pa; 2. 工作真空5×10-4pa,恢復工作真空時間30～40分鐘(充氮氣); 3. 基片原位退頭(～800℃),可控可調。

主要功能

採用磁控濺射,電阻熱蒸發和電子束蒸發成膜技術,可鍍金屬,合金,化合物,半導體,陶瓷膜,介質複合膜等.可用於鍍制高熔點材料,OLED材料與器件的製作研究等.。