真空熱蒸發鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年12月4日啟用。
基本介紹
- 中文名:真空熱蒸發鍍膜設備
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2014年12月4日
- 所屬類別:分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
真空熱蒸發鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年12月4日啟用。
熱蒸發真空鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年3月15日啟用。技術指標 1、機片尺寸為10*10毫米;2、基片(樣品)加熱溫度為300度;3、漏率小於10e-7pa;4、極限真空5*10e-4pa;5、從大氣抽氣6。6*10e-6pa。主要功能 在真空條件下,利用電子槍蒸發和電阻蒸發及磁控濺射夾來完成鍍膜工作...
真空熱蒸發鍍膜設備 真空熱蒸發鍍膜設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年12月4日啟用。技術指標 真空室極限真空度達5*10-5Pa,漏率為關機12小時小於5Pa。主要功能 真空冶煉。
真空蒸發鍍膜儀是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年06月01日啟用。技術指標 系統的極限壓強可達≤2x10-7Torr;三組熱阻蒸發源;可儲存100個工藝,1000層,50種薄膜;最大轉速可達20轉/分鐘;最高加熱溫度不低於350℃。主要功能 真空蒸發鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。該設備被廣泛套用...
真空熱蒸發鍍膜機是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器,於2013年12月24日啟用。技術指標 直徑400mm,高475mm,D字形結構;鋁合金或不鏽鋼艙體可供選擇;最大可處理直徑200mm的基片;整體尺寸600mmx1000mm。主要功能 支持多個PVD操作;最多可安裝6個蒸發源;獨立或共蒸功能;可與手套箱集成;多種備選功能...
熱蒸發鍍膜機是一種用於力學、物理學、材料科學領域的儀器,於2013年06月03日啟用。技術指標 1)Process chamber工藝腔體 16x16方形不鏽鋼腔體,包括膠圈密封,鉸鏈連線,帶有矩形觀察窗的鋁製前門。 2)Pumping system泵抽系統 260 l/s分子泵;6.8 cfm的油封機械泵和前級閥門;氣動充氣閥;適當環境下,極限真空可...
真空蒸發鍍膜法(簡稱真空蒸鍍)是在真空條件下,加熱蒸發容器中待蒸發的材料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸汽流,入社到襯底或基底表面,凝結成固態薄膜的方法。基本原理 正空蒸發鍍膜包括以下基本過程:(1)加熱蒸發過程:包括由凝聚相轉變為氣相的過程,每種蒸發物質在不同的溫度有不同的飽和蒸氣壓。(...
熱蒸發磁控濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2004年01月01日啟用。技術指標 兩腔(φ500mmX480mm,φ500mmX500mm)。工作真空7x10^(-4)Pa,整機阻抗1MΩ/500V.P.C. 用於有機/無機薄膜製備,膜厚可以控制在nm量機上。極限真空可達10-5 Pa,工作真空度為3-5 10-4 Pa,六對熱蒸鍍電極,...
電阻蒸發鍍膜設備,是在真空室中利用電阻加熱法,將緊貼在電阻絲上的金屬絲(鋁絲)熔融汽化,汽化了的金屬分子沉積於基片上,而獲得光滑高反射率的膜層,達到裝飾美化物品表面的目的。結構和特點 結構可為立臥式雙開門結構,成膜速率快,色澤鮮亮,膜層不易受污染,可獲得緻密性好、純度高、膜厚均勻的膜層,不...
真空鍍膜設備,主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。書籍 內容簡介 《真空鍍膜設備》詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇,其中重點、系統地介紹了...
單室熱蒸發真空鍍膜機 單室熱蒸發真空鍍膜機是一種用於化學、環境科學技術及資源科學技術領域的科學儀器,於2015年10月20日啟用。技術指標 SKY/DZ-4502。主要功能 單室熱態分析。
真空熱蒸發鍍膜機是從事有機/高分子光電器件領域研究必不可少的設備之一,主要用來將金屬或者有機物等材料在高真空環境下蒸發到襯底表面形成均勻薄膜。本實驗室根據研究方向,選擇的真空蒸鍍系統將金屬和有機熱蒸發鍍膜機和手套箱集成到一起,配備了電子束蒸發和熱蒸發兩種蒸發源,同時實現了低熔點和高熔點金屬的蒸鍍...
可線上控制。6、E-型電子槍:8KW;水冷6坩堝,帶高壓電源及手控盒,具有高壓滅弧自動復位功能。主要功能 該設備能製備金屬和非金屬材料及有機材料的納米塗層薄膜,如SiO2,AL2O3,Al、Au、Ag、Ni、Ti、Cr、Pt等可套用於製備光學薄膜、導電薄膜,半導體薄膜、鐵電薄膜等。
有機-金屬真空熱蒸鍍儀及手套箱系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的科學儀器,於2015年11月10日啟用。技術指標 手套箱:H2O﹤1ppm,O2﹤1ppm蒸發鍍膜設備:1.腔體極限真空為5*10-5pa,從常壓到5*10-4pa不高於20min;2.3個低電壓大電流的TDK-lambda電源(2台GEN8-180,1台GEN6-100A)通過切換8個...
高真空鍍膜機 高真空鍍膜機是一種用於物理學、化學領域的工藝試驗儀器,於2013年01月09日啟用。技術指標 腔體內有八個源用來置放不同的材料,並且一次可以對四個樣品進行蒸鍍,同時配置兩個電流源加熱材料,實際蒸鍍時真空可以達到10-7torr。主要功能 具有有機材料熱蒸發沉積和金屬材料熱蒸發沉積成膜功能。
高真空雙電子束蒸發鍍膜儀是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2018年12月18日啟用。技術指標 1 極限真空≤5E-8Torr;2 抽速: 暴露大氣抽至1.5E-6Torr,時間不超過30分鐘;3 6英寸膜厚均勻性:優於+/-3%; 4 膜厚探頭監控精度:鍍膜速率0.01A/S;5 加熱器穩定精度:加熱溫度700℃,控制精度:+/-1...
高能球磨製粉設備蒸發鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年7月21日啟用。技術指標 1 適用於乾法和濕法球磨,容積100L,連續球磨時間1-100h,具有自動進/出料功能,進出料時間小於5min,密封使用時間>1500h,密封性好,安全性高,有防爆功能 2 真空度優於8.0×10-5Pa,抽速從大氣抽至10-5...
裝有蒸發材料的坩堝周圍有冷卻系統,避免坩堝內壁與蒸發材料發生反應影響薄膜質量。通過調節電子束的功率,可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率,特別適用於高熔點以及高純金屬材料,通過膜厚測量系統可實時精確測量蒸發速率和薄膜厚度。該設備可製備高純薄膜,是微納結構製備中不可缺少的工藝設備。
蒸發罐效與效之間形成的溫差,即是多效蒸發的傳熱推動力。鍍膜 真空蒸發鍍膜屬於物理氣相沉積法,是製備薄膜的一般方法。這種製作方法是把裝有基片的真空室抽成10Pa以下的真空,然後再加熱鍍料,使表面原子或者分子發生氣化反應,逸出並形成蒸汽流,入射到基片的表面,凝結形成固態的薄膜。真空蒸發鍍膜設備主要由兩大...
配備兩台500W直流電源,一台300W射頻電源;熱蒸發最高溫度可到達1500攝氏度;樣品室退火溫度可達1000攝氏度;主真空室的極限真空可達到5*10-8Torr,預真空室的真空度可達到6*10-6Torr;整機採用計算機+PLC全自動控制方式,實現智慧型化操作。主要功能 可用於磁控濺射及熱蒸發鍍膜;科研教學。
8)數顯複合真空計(9)機台架(10)觀察窗 (11)CF35 玻璃視窗。主要功能 教學
雙室蒸發鍍膜系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2012年07月02日啟用。技術指標 (1)極限真空:5*10-5Pa(2)抽速:從大氣抽至7*10-4Pa,用時小於40min(3)真空保持:系統停泵關機12小時後,真空度≤5Pa(4)基片加熱:溫度可達600度,升溫速率5-20℃/min。主要功能 雙室熱蒸發鍍膜系統可為...
熱蒸發鍍膜系統 熱蒸發鍍膜系統是一種用於化學工程領域的工藝試驗儀器,於2015年10月01日啟用。技術指標 系統極限壓強可達≤5×10-6Torr;帶有可變速旋轉樣品台,電機驅動,最大轉速 20rpm。主要功能 蒸鍍各種金屬膜。主要用於製備納米器件、有機光電器件的金屬電極等。
高真空雙室鍍膜設備是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2007年7月1日啟用。技術指標 1. 極限真空1×10-5pa; 2. 工作真空5×10-4pa,恢復工作真空時間30~40分鐘(充氮氣); 3. 基片原位退頭(~800℃),可控可調。主要功能 採用磁控濺射,電阻熱蒸發和電子束蒸發成膜技術,可鍍金屬...
電子束熱蒸發鍍膜機是一種用於物理學、材料科學、機械工程領域的計量儀器,於2015年1月27日啟用。技術指標 腔體尺寸:600mm(直徑)×700mm(高);前級乾泵加低溫泵真空系統,30分鐘以內抽進10-4Pa,極限真空小於5x10-5Pa;樣品托盤6寸矽片向下兼容,至少裝載4寸3片或6寸;坩堝數量6個,單個容積不小於20cc;樣品最...
電子束蒸發鍍膜設備是一種用於數學領域的分析儀器,於2017年3月1日啟用。技術指標 真空室極限真空度≤8E-5Pa,從大氣抽至1E-3Pa時間≤40min,漏率≤2E-10AtmCC/Sec。電子槍:最大加速功率10KW,最大電流1A;偏轉角270度。電子束位置調節範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子束掃描範圍至少覆蓋+20mm到-20mm,電子...
Ti、Au等 典型沉積速率:0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角:±45° 樣品台工作距離:40-60cm。主要功能 高真空電子束蒸發鍍膜儀利用經過磁場偏轉的高能量電子束對蒸發物料進行電子加熱,蒸發材料揮發後沉積到樣品表面,沉積成薄膜材料。 該設備可用於Ti、Au的高質量薄膜的製備,廣泛套用於科學研究與半導體製造領域。
多源蒸發濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2019年6月10日啟用。技術指標 1.濺射室極限真空度:≤6x10-8Pa(經烘烤除氣後),真空獲得採用分子泵(1200L/S) 和機械泵(8L/S)+ CF200主閥組成(分子泵和機械泵、真空規、用戶已備);2.系統真空檢漏率:≤5.0x10-8Pa.l/S;系統從...
金屬鍍膜電子束蒸發台是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月4日啟用。技術指標 金屬鍍層厚度、均勻性。主要功能 電子束蒸發系統是化合物半導體器件製作中的一種重要工藝技術;它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融後蒸發到所需基片上形成金屬膜。可蒸發很多難...
其中主要特點為開卷、收卷裝置設定於鍍金屬爐之外,原料捲筒材料(紙或塑膠薄膜)的更換、增添以及成品收卷後的取下等均在真空鍍金屬爐的在大氣壓下進行。無論生產多少捲成品材料,並不影響作為主要設備的真空鍍金屬爐在恆定真空中的連續生 產。供蒸發、蒸鍍用的金屬絲〔一般為鋁絲)亦是根據與蒸鍍厚度所需的消耗...