高真空蒸發系統

高真空蒸發系統是一種用於物理學、電子與通信技術、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2017年9月28日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空蒸發系統
• 產地：中國台灣
• 學科領域：物理學、電子與通信技術、材料科學
• 啟用日期：2017年9月28日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

電子束蒸發源：8kW，2MHz 晶圓尺寸：最大6英寸 真空度：10E-7Torr 蒸發物料：Ti、Au等 典型沉積速率：0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角：±45° 樣品台工作距離：40-60cm。

主要功能

高真空電子束蒸發鍍膜儀利用經過磁場偏轉的高能量電子束對蒸發物料進行電子加熱，蒸發材料揮發後沉積到樣品表面，沉積成薄膜材料。 該設備可用於Ti、Au的高質量薄膜的製備，廣泛套用於科學研究與半導體製造領域。