高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月14日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空電子束蒸發鍍膜
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2018年12月14日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月14日啟用。
高真空電子束蒸發鍍膜是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月14日啟用。技術指標1.真空腔室:要求採用304不鏽鋼材質,尺寸不小於Φ565×H618mm;配方便拆卸的防污板;真空腔體整體水冷優良;2.真空系統...
超高真空電子束蒸發法,超高真空條件下進行電子束蒸發鍍膜的技術。在電子束蒸發時,沉積速率可通過四極質譜儀進行監控,薄膜的厚度採用石英晶振法測定,四極質譜儀還可進行殘餘氣體檢測。配備有高能反射電子衍射儀,可對薄膜的生長過程進行檢測...
電子束蒸發是真空蒸鍍的一種方式,它是在鎢絲蒸發的基礎上發展起來的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發是真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。基本內容 電子...
真空鍍膜是真空套用領域的一個重要方面,它是以真空技術為基礎,利用物理或化學方法,並吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術,為科學研究和實際生產提供薄膜製備的一種新工藝。簡單地說,在真空中把金屬、...
電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料,電子的動能轉換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發,並成膜。電子槍有直射式、環型和E型之分。電子束加熱蒸鍍的特點是能獲得極高的能量密度,最高可達109w/cm²,加熱溫度可達3000~6000℃,可以蒸發難...
電子束蒸發源:8kW,2MHz 晶圓尺寸:最大6英寸 真空度:10E-7Torr 蒸發物料:Ti、Au等 典型沉積速率:0.1-10A/s 樣品台最大傾斜角:±45° 樣品台工作距離:40-60cm。主要功能 高真空電子束蒸發鍍膜儀利用經過磁場偏轉的高能量...
蒸發源是用來加熱膜料使之氣化蒸發的部件。真空蒸發使用的蒸發源主要有電阻加熱、電子束加熱、高頻感應加熱、電弧加熱和雷射加熱等五大類。加熱方式 真空蒸鍍使用的加熱方式主要有:電阻加熱、電子束加熱。射頻感應加熱、電弧加熱和雷射加熱...
①真空鍍金屬。是一種將蒸發物質加熱的方法。其中包括常用的電阻加熱法,電子束加熱法,高頻感應加熱法以及雷射光束加熱法等。②分子束蒸發法。在極高真空中分析其鍍膜的增長,並以單位原子層能級控制其鍍金屬膜的形成的方法。③離子鍍。
圖19.11展示一個操作者正在光學鍍膜機前。抽真空主系統由兩個低溫泵組成。電子束蒸發、IAD沉積、光控、加熱器控制、抽真空控制和自動過程控制的控制模組都在鍍膜機的前面板上。圖19.12示出裝配在高真空鍍膜機基板上的硬體布局。兩個...
2.3.4 空心熱陰極電子束蒸發源 2.3.5 雷射加熱蒸發源 2.3.6 電弧加熱蒸發源 2.4 特殊蒸鍍技術 2.4.1 閃蒸蒸鍍法 2:4.2 多蒸發源蒸鍍法 2.4.3 反應蒸鍍法 2.4.4 三溫度蒸鍍法 3 真空濺射鍍膜 3....
高真空計主要有電離規、BA規、轉子規等。技術套用 在高真空中由於分子平均自由程大於容器線度,可以避免分子間的碰撞,通常用於電真空器件、加速器、儲能環、蒸發鍍膜、電子束加工等。
在真空鍍膜設備中, 電子束蒸發源雖遠較電阻加熱式蒸發源複雜, 但因其能蒸鍍難熔材料, 膜層純度高, 而優於電阻加熱蒸發源。基本內容 電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環行)、由電子發射源(通常是熱的鎢...
1971年Chamber等發表電子束離子鍍技術,1972年B報告了反應蒸發鍍(ARE)技術,並製作了TIN及TIC超硬膜。同年,MOLEY和SMITH將空心陰極技術套用於鍍膜。20世紀八十年代,國內又相繼出現了多弧離子鍍及電弧放電高真空離子鍍,至此離子鍍達到...
電子束鍍膜機、OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備,採用磁控濺射與電漿增強化學氣相沉積PECVD技術,設計製造了團簇式太陽能薄膜電池中試線;採用熱絲法,設計製造金剛石薄膜製備設備;設計製造高真空電阻熱蒸發鍍膜機,...