超高真空電子束蒸發系統

超高真空電子束蒸發系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2018年11月30日啟用。

基本介紹

• 中文名：超高真空電子束蒸發系統
• 產地：中國台灣
• 學科領域：信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科
• 啟用日期：2018年11月30日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

電子束蒸發腔室和氧化腔室極限真空度≤5*10-9 Torr；最大支持尺寸≥4英寸；電子束蒸發腔室和清洗腔室樣品架可旋轉和雙向傾斜，傾斜角度≥±75度，角度控制精度≤0.1度；氧化腔室樣品架可加熱，最高溫度≥200度；採用固態電源，功率≥6kW；配備至少4個坩堝；刻蝕均勻性：4英寸範圍內≤±6%（邊緣5mm除外）；薄膜厚度均勻性：4英寸範圍內≤±4%（邊緣5mm除外）。

主要功能

能夠進行Al結的製備及Nb系超導薄膜生長；具備手動和自動控制模式，可實現全自動的工藝操作；具備自動坩堝選擇功能；具備薄膜厚度控制功能。