電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。
基本介紹
- 中文名:電子束蒸發真空薄膜沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:信息科學與系統科學、物理學
- 啟用日期:2017年12月7日
- 所屬類別:計算機及其配套設備 > 軟體 > 軟體
電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。
電子束蒸發真空薄膜沉積系統 電子束蒸發真空薄膜沉積系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備,於2017年12月7日啟用。技術指標 380v,立式。主要功能 測量用。
薄膜磁性元件如存儲元件、邏輯元件、光磁元件、聲表面波器件、薄膜超導元件等的薄膜,都可用真空蒸發方法獲得。在真空蒸發工藝中,系統真空度是直接影響成膜質量的關鍵。為了使蒸發原子或分子能澱積在離開蒸發源一定距離的襯底上,真空室的...
高精度真空薄膜沉積系統 高精度真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年9月1日啟用。技術指標 真空度10E-6Pa,射頻功率600W,加熱400度,。主要功能 薄膜沉積。
多腔體高真空薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年10月15日啟用。技術指標 有機真空室極限真空度:1.5×10-7Pa;電子槍真空室極限真空度:1.1×10-5Pa;進樣真空室極限真空度:2.5×10-5Pa;樣品架可升降...
超高真空薄膜沉積系統 超高真空薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年7月8日啟用。技術指標 真空度:1*10^-4 pa。主要功能 有機薄膜沉積。
電子束蒸發室:(7)本底真空度 優於1E-9Torr; (8)樣品台可連續旋轉,可加熱,最高加熱溫度不低於800攝氏度; (9)與超高真空系統兼容的電子束蒸發源,不少於6個pocket(10)配置高品質清 洗離子源;(11)配置掩膜系統,(12)...
有機薄膜沉積系統是一種用於物理學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2011年12月25日啟用。技術指標 該設備主要由蒸發沉積室、手套箱、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品傳遞裝置、計算機控制系統、電控系統、配氣系統等部分組成...
高真空OLED薄膜沉積系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、自然科學相關工程與技術、產品套用相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年12月30日啟用。技術指標 該系統為雙室結構有機無機氣相分子沉積系統,主要用來生長薄膜太陽能...
太陽能薄膜沉積系統 太陽能薄膜沉積系統是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2009年09月28日啟用。技術指標 真空系統配置,極限壓力,恢復真空時間等指標。主要功能 製備非晶矽和微晶矽薄膜等太陽電池器件。
蒸鍍的物理過程包括:沉積材料蒸發或升華為氣態粒子→氣態粒子快速從蒸發源向基片表面輸送→氣態粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或產生化學鍵合。將基片放入真空室內,以電阻、電子束、雷射等方法加熱膜料,使膜料蒸發...
雙室薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 立式雙室,行星夾具,分子泵機械泵真空系統。主要功能 本系統設有直流磁控濺射、射頻磁控濺射和熱蒸發法鍍膜裝置,既能獨立實現濺射鍍膜,...
其中材料製備設備方面有:四靶磁控濺射系統、準分子脈衝雷射外延生長系統、原子層沉積薄膜生長系統、電漿增強化學氣相沉積系統、電子束蒸發薄膜沉積系統和真空氣氛條件下薄膜快速熱處理系統;器件研製方面有:紫外光刻機和反應離子刻蝕系統;...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...